NEW STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING INDIUM PHOSPHIDE/INDIUM GALLIUM ARSENIDE PHOSPHIDE BURIED HETEROSTRUCTURE SEMICONDUCTOR LASERS.

摘要

On fabrique un laser à semi-conducteurs ayant une largeur de bande à modulation élevée en utilisant une couche supérieure InGaAsP (14) et une couche active InGaAsP (12) dont les structures cristallines sont différentes. Des gorges (21 et 22) sont formées par attaque à l'acide par procédé anisotrope dans les couches supérieure (14), de placage (13) et active (12) et partiellement dans la couche intermédiaire (11). Les couches active (12) et supérieure (14) sont attaquées latéralement et un matériau semi-isolant (30) est déposé sur les parois latérales. Une autre attaque à l'acide ne laisse qu'une mince paroi (31 et 32) de matériau semi-isolant autour de la couche active (12). On a fabriqué avec succès à l'aide de ce procédé des lasers InGaAsp 1,3 mum avec des largeurs de bandes 3 dB de 24 GHz et des fréquences de résonance intrinsèque dépassant 22 GHz. Il s'agit de la plus grande largeur de bande jamais enregistrée pour un laser à semi-conducteurs et de la plus importante fréquence de résonance pour des lasers InGaAsP. On a observé d'excellentes efficacités de modulation à des fréquences élevées.