发明名称 利用测试电路之半导体积体记忆器
摘要 一种能够执行读取与写入动作之半导体积体记忆器,包含一测试电路,其中一用以于记忆体单元间传送信号之导线与一用以交换上述信号之电晶体通道,系由一多晶矽层或非结晶矽层所形成。上述测试电路亦包含多晶矽电晶体或非结晶矽电晶体,以作为逻辑运算。
申请公布号 TW185017 申请公布日期 1992.06.01
申请号 TW081101203 申请日期 1992.02.19
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 塔卡基、奈卡马
分类号 H01L21/00;H01L31/42 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 林镒珠 台北巿长安东路二段一一二号九楼
主权项
地址 韩国