| 主权项 |
1.一种用于电子束射出设备的静电偏转器,其包含有一个绝缘材料制成的圆柱形固定组件,以及复数个彼此分离之固定在该固定组件内部且具有至少部分其表面为一金属膜所覆盖之电极;其中该固定组件具有复数个V形固定孔,该固定孔在外围表面上的直径大于该固定组件在内缘表面上的直径,该孔洞被安置在相当于该固定组件(该电极被个别固定于其)之位置的位置中,且一熔融接合金属被射入该固定孔(该电极在该固定组件上)并硬化,而与该电极的金属膜紧密接触,因而固定该固定组件;其中固定于该固定组件上的该电极具有该固定组件的内表面可由该固定组件的圆柱轴被看见的形状;以及其中该复数个电极被固定于该固定组件上后,系藉蒸镀法形成覆盖于其内表面上的一金属薄膜。2.如申请专利范围第1项之电子束射出设备的静电偏转器,其中该金属薄膜的材料为铂。3.一种用于制造电子束射出设备之静电偏转器的方法,该静电偏转器包含有一个绝缘材料制成的圆柱形固定组件,以及复数个彼此分离之固定在该固定组件内部且具有至少部分其表面为一金属膜所覆盖之电极,其包含的步骤有:将该复数个该电极固定于该固定组件上;将该固定组件固定在真空中;以及在将提供蒸汽源的该金属薄膜材料加热时,将该固定组件旋转并同时将该材料在该固定组件中移动,因而形成该金属薄膜于该电极内表面上。4.一种用于制造如申请专利范围第1项之电子束射出设备之静电偏转器的蒸汽沈积设备,更包含有:一真空腔室;一旋转座,其系安置于该真空腔室中,而用于旋转地固定该固定组件环绕具有复数个电极固定于其上之该固定组件的中心轴;一蒸汽沈积源固定机构,其用于将一线型的蒸汽沈积源沿着该固定组件的中心轴固定;以及一加热机构,其用于加热该线型蒸汽沈积源。5.如申请专利范围第4项之蒸汽沈积设备,其中该蒸汽沈积源固定机构包含一种用于将该线型蒸汽沈积源沿着该固定组件中心轴移动的移动机构。6.一种用于电子束射出设备的静电偏转器,其包含有一个非导电性材料制成的圆柱形固定组件,以及复数个具有至少部分导电表面沿着该固定组件的内部周围方向彼此隔离之电极,其中该固定组件具有复数个开口,其系在面向各相邻电极间的之间隔的部分,在平行于该圆柱轴之方向延伸。7.如申请专利范围第6项之电子束射出设备的静电偏转器,其中复数个该电极系于电子束射出方向上,由该固定组件延伸出。8.如申请专利范围第7项之电子束射出设备的静电偏转器,其中该复数个电极于电子束射出方向上,由该固定组件延伸出的长度系大于该电极长度的三分之一。9.一种用于电子束射出设备的静电偏转器,其包含有一个非导电性材料制成的圆柱形固定组件,以及复数个具有至少部分导电表面沿着该固定组件的内部周围方向彼此隔离之电极,其中复数个该电极系于电子束射出方向上,由该固定组件延伸出。10.如申请专利范围第9项之电子束射出设备的静电偏转器,其中该复数个电极于电子束射出方向上,由该固定组件延伸出的长度系大于该电极长度的三分之一。11.一种用于电子束射出设备的静电偏转器,其包含有一个非导电性材料制成的圆柱形固定组件,以及复数个具有至少部分导电表面沿着该固定组件的内部周围方向彼此隔离之电极,其中该固定组件具有复数个独立的固定单元;以及其中该固定单元的总长度小于该电极长度。12.如申请专利范围第11项之电子束射出设备的静电偏转器,其中沿着电子束射出方向之最接近试件的固定单元端至沿着电子束射出方向之电极端系大于该电极长度的三分之一。13.如申请专利范围第6项之电子束射出设备的静电偏转器,其中该固定组件包含复数个V形固定孔,该固定孔在该固定组件之外围表面上的直径大于其内缘表面上的直径,该孔洞被安置在相当于复数个个别被固定之该电极的位置,该电极系藉由将一熔融接合金属射入该固定孔(该电极被适当地安置于该固定组件上)与将该接合金属与该电极的金属膜紧密接触;其中固定于该固定组件上的该电极系被成形,而使得该固定组件的内表面可由该固定组件的圆柱轴被看见的形状;以及其中该电极被固定于该固定组件上后,系藉蒸镀沈积法形成覆盖于其内表面上的一金属薄膜。14.如申请专利范围第11项之电子束射出设备的静电偏转器,其中该固定组件包含复数个V形固定孔,该固定孔在该固定组件之外围表面上的直径大于其内缘表面上的直径,该孔洞被安置在相当于复数个个别被固定之该电极的位置,该电极系藉由将一熔融接合金属射入该固定孔(该电极被适当地安置于该固定组件上)与将该接合金属与该电极的金属膜紧密接触;其中固定于该固定组件上的该电极系被成形,而使得该固定组件的内表面可由该固定组件的圆柱轴被看见的形状;以及其中该电极被固定于该固定组件上后,系藉蒸镀沈积法形成覆盖于其内表面上的一金属薄膜。图式简单说明:第一图A至第一图C系为表示传统电子束曝光设备之静电偏转器的外观及内部构造的示范图式;第二图A至第二图B系为表示传统电极组件及该电极组件被固定于固定组件上之状态的图式;以及第三图A至第三图C系为表示根据本发明之静电偏转器的基本结构的图式。第四图系为用于说明电荷累积及污染物附着于接近试件之位置的图式。第五图系为一种用于将一金属薄膜真空气相沈积于根据一实施例之静电偏转器内表面上的真空气相沈积设备的横剖面图。第六图系为表示根据本发明之第二个实施例之静电偏转器构造的透视图。第七图系为表示根据本发明之第三个实施例之静电偏转器构造的透视图。 |
