| 发明名称 |
Pin-diode having a low initial overvoltage. |
| 摘要 |
<p>La présente invention concerne une diode PIN à faible surtension à la mise en conduction comprenant une région d'anode (4) de type P formée sur une première face d'un substrat (1) de type N faiblement dopé et une région de cathode (2) formée sur la deuxième face du substrat, caractérisée en ce qu'elle comprend sur une partie de la première face une région supplémentaire (7) de type N<+> en contact avec la région d'anode pour former une jonction avec celle-ci, cette région supplémentaire étant connectée à la région de cathode. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP0467803(A1) |
申请公布日期 |
1992.01.22 |
| 申请号 |
EP19910420248 |
申请日期 |
1991.07.12 |
| 申请人 |
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.A. |
发明人 |
PEZZANI, ROBERT |
| 分类号 |
H01L29/861;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/07;H01L29/868;H01L29/87 |
主分类号 |
H01L29/861 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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