| 摘要 |
<p>Bei einem Verfahren zur Herstellung eines PMOS-Transistors (1) in einem p-dotierten Substrat (2) durch Erzeugen einer n-dotierten Wanne (4) durch Implantation and anschließender Diffusion, durch Isolieren des Transistors (1) mit einer Feldoxidschicht (14) und durch Herstellen der Transistor-Gates durch photolithographische Strukturen einer Schicht, ist vorgesehen, daß der von der photolithographischen Strukturierung nach der Gate-Ätzung verbliebene Photolack als Maskierung des Drain-Gebiets an dem gate-seitigen Ende für mindestens eine p--Implantation verwendet wird, wobei ein zur Oberfläche des Drain-Bereichs abfallender Rand an der Gate-Kante (11) in der Photolackschicht (22) erzeugt wird, durch den beim Einbringen der Implantation die Flanke (17, 19) des Implantationskonzentrationsprofils (16, 18) zu dem unter dem Gatebereich (12) befindlichen Kanal hin abgelenkt wird.</p> |
