| 发明名称 |
High frequency SMD-transistor with two emitter terminals. |
| 摘要 |
<p>Ein Hochfrequenz-SMD-Transistor mit zwei Emitteranschlüssen, bei dem ein Halbleitertransistor-Chip (6) auf einem Leiterband (9) befestigt und mit elektrischen Anschlüssen (1 bis 4) auf dem Leiterband (9) kontaktiert ist, soll kleinste Halbleiter-Chip-Abmessungen bei hoher Zuverlässigkeit ermöglichen. Die beiden Emitteranschlüsse des Hochfrequenz-SMD-Transistors sind innerhalb des Leiterbands (9) einstückig ausgebildet. Zwischen dem Emitterkontakt des Halbleiter-Transistor-Chips (6) und den einstückig ausgebildeten beiden Emitteranschlüssen ist eine einzige elektrische Verbindung (7) vorhanden. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP0439653(A1) |
申请公布日期 |
1991.08.07 |
| 申请号 |
EP19900101916 |
申请日期 |
1990.01.31 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
HARGASSER, HANS, DIPL.-ING. (FH) |
| 分类号 |
H01L23/495;H01L23/66 |
主分类号 |
H01L23/495 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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