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发明名称 AN INSULATED-GATE FET ON AN SOI-STRUCTURE
摘要
申请公布号 EP0405063(A3) 申请公布日期 1991.02.27
申请号 EP19900106143 申请日期 1990.03.30
申请人 FUJITSU LIMITED 发明人 GOTOU, HIROSHI
分类号 H01L27/12;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/784;H01L29/91 主分类号 H01L27/12
代理机构 代理人
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