| 摘要 |
<p>Thyristor aus einem Hauptthyristor und einem Hilfsthyristor, bei dem zur Verbesserung der dynamischen Eigenschaften der Rand des von der Steuerbasiszone (2) und der Hilfsemitterzone (8) gebildeten pn-Übergangs im oberflächennahen Bereich der Halbleiterscheibe auf der der Steuerlektrode (7) gegenüberliegenden Seite eine von der Kreisform abweichende Struktur aufweist. <IMAGE></p> |
