| 发明名称 |
Circuit for sensing the state of matrix cells in MOS EPROM memories including an offset current generator |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
US4949307(A) |
申请公布日期 |
1990.08.14 |
| 申请号 |
US19890298487 |
申请日期 |
1989.01.18 |
| 申请人 |
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS SRL |
发明人 |
CAMPARDO, GIOVANNI |
| 分类号 |
G11C17/00;G11C16/06;G11C16/28;H03K19/177 |
主分类号 |
G11C17/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
