发明名称 半導体装置およびその製造方法
摘要 本発明の半導体装置は、半導体素子、および、半導体素子に電気的に接続された金属緩衝層を有して成る。本発明の半導体装置では、金属緩衝層と半導体素子とが相互に面接触するような形態で金属緩衝層と半導体素子とが接続されている。また、金属緩衝層が、二次実装基板への実装に用いられる外部接続端子になっていると共に、二次実装基板と半導体素子との間にて応力緩和作用を有する緩衝部材ともなっている。
申请公布号 JPWO2014038128(A1) 申请公布日期 2016.08.08
申请号 JP20140512980 申请日期 2013.08.02
申请人 パナソニックIPマネジメント株式会社 发明人 川北 晃司;澤田 享;中谷 誠一;山下 嘉久
分类号 H01L23/12 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人
主权项
地址