发明名称 |
半导体集成电路器件 |
摘要 |
本发明公布了一种半导体集成电路器件。该电路器件用改进的(m+n)个输入单元,每个单都装配有高负载驱动功能元件,将元件布置在单的周围,并且在该单元内有n个信号输入端,另外还有m个常规信号输入端,一并置入该单元内。 |
申请公布号 |
CN1003549B |
申请公布日期 |
1989.03.08 |
申请号 |
CN85108621.7 |
申请日期 |
1985.11.23 |
申请人 |
株式会社日立制作所 |
发明人 |
铃木康永;松原俊明;间明田治佳;浦上宪 |
分类号 |
H01L27/02;H01L27/06;H01L27/10 |
主分类号 |
H01L27/02 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利代理部 |
代理人 |
刘晖 |
主权项 |
1.一种半导体集成电路器件,包括:(1)基本单元,每个基本单元包括至少一对双极晶体管和至少两个绝缘门场效应晶体管;(2)基本单元阵列,每个基本单元阵列是由在预定方向上布置的许多上述基本单元形成的;以及(3)一个基本单元矩阵,是由许多基本垂直上述预定方向布置的许多上述基本单元阵列形成的,在基本单元阵列之间设有预定间隙;(4)一个把运行电位施加到上述基本单元上的第一运行电位线和一个第二运行电位线;其特征在于,把上述一对双极晶体管布置在每个上述基本单元的相对的周边上,在上述一对双极晶体管之间至少布置一个上述绝缘门场效应晶体管,将上述第一和第二运行电位线沿着上述基本单元阵列并基本平行于上述预定的方向延伸,使其穿过每个上述基本单元的上述相对的周边,并连接到上述基本单元中形成的上述一对双极晶体管中所选定的一个晶体管上。 |
地址 |
日本东京都 |