| 发明名称 | 一种半导体器件互连的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件互连的制造方法，其中第一布线导体(20)、绝缘层(21)和第二布线导体(22)依次被设置在由许多绝缘区(4、10)和许多半导体区(3)连接在一起的半导体(1)的表面上。在两层布线(20，22)之间设置互连接点，这些接点位于半导体区(3)和邻接的绝缘区(4、10)两者之上。接点由第一布线(20)形成导电通柱(44)，设置绝缘层(50)后，使通柱(44)顶端露出，再设置第二布线(22)覆盖在通柱(44)的顶端上而作成。因而大块地节省了在半导体表面(2)上所占的面积。 | ||
| 申请公布号 | CN88103212A | 申请公布日期 | 1988.11.30 |
| 申请号 | CN88103212 | 申请日期 | 1988.04.28 |
| 申请人 | 菲利浦光灯制造公司 | 发明人 | 胡伯特斯·约翰内斯·邓布兰肯 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/30;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 中国专利代理有限公司 | 代理人 | 肖掬昌;肖春京 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件互连的制造方法，包括第一布线导体、绝缘层和第二布线导体依次被形成在由许多绝缘区和许多半导体区连接在一起的半导体表面上，两层布线之间通过绝缘层的通孔，局部地设置了互连接点，所说的接点位于一半导体区和一与之邻接的绝缘区两者之上，其特征在于：由第一布线导体形成导电通柱，其上设置绝缘层之后，使通柱顶端露出，并在已露出顶端的通柱上设置第二布线导体而作成互连接点。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||