| 发明名称 |
Method of fabricating polycrystalline silicon resistors having desired temperature coefficients |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4762801(A) |
申请公布日期 |
1988.08.09 |
| 申请号 |
US19870017388 |
申请日期 |
1987.02.20 |
| 申请人 |
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION |
发明人 |
KAPOOR, ASHOK K. |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/02;H01L21/265;H01L21/3215;H01L21/822;(IPC1-7):H01L21/265 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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