发明名称 HIGH QUALITY SINGLE CRYSTAL AND GROWING METHOD THE SAME
摘要
申请公布号 KR20060034425(A) 申请公布日期 2006.04.24
申请号 KR20040083447 申请日期 2004.10.19
申请人 SILTRON INC. 发明人 CHO, HYON JONG
分类号 C30B15/00;C30B15/14;C30B15/22 主分类号 C30B15/00
代理机构 代理人
主权项
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