| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen PNP-Lateraltransistor aus zwei in die Oberfläche eines Halbleiterbereichs (12) vom n-Leitungstyp eingelassenen, Emitter (19d) und Kollektor (19c) bildenden Zonen vom p-Leitungstyp, wobei der zwischen diesen beiden Zonen liegende Teil des Halbleiterbereichs vom n-Leitungstyp die aktive Basiszone (26) bildet. Die Erfindung besteht darin, daß die aktive Basiszone (26) unterhalb der Halbleiteroberfläche und angrenzend an die Emitter- und die Kollektorzone eine vergrabene Halbleiterzone (25) enthält, die gegenüber dem übrigen umgebenden Bereich der aktiven Basiszone (26) zusätzliche kontradotierende Störstellen enthält, so daß ein Stromführungskanal für die Minoritätsladungsträger in der Basiszone entsteht. Hierdurch wird der Einfluß störender Oberflächenrekombinationen und des Substrattransistors erheblich vermindert und eine sehr hohe Gleichstromverstärkung des Lateraltransistors erzielt.</p> |
