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DISPOSICION SEMI-CONDUCTORA PLANA. CONSTA DE UN TRANSISTOR DE POTENCIA Y OTRO DE ACCIONAMIENTO INTEGRADOS EN UN SUSTRATO COMUN CON TECNICA PLANAR MONOLITICA, QUE CONSTITUYE LAS ZONAS DEL COLECTOR DE AMBOS TRANSISTORES (T1, T2). UNA CAPA DE PASIVADO (14) SE DISPONE SOBRE LA SUPERFICIE PRINCIPAL DEL SUSTRATO SALVANDO LAS VENTANAS DE CONTACTO. UN ELECTRODO DE COBERTURA SE SITUA ENTRE LA ZONA DEL COLECTOR Y LA DE BASE (4) DEL TRANSISTOR DE POTENCIA (T2) EN CONEXION CON LA TIRADA DE RESISTENCIA (2) DISPUESTA A CIERTA DISTANCIA DE LA ZONA DE LA BASE (4) PARA EL AJUSTE DE SU POTENCIA. UNA TIRA ADICIONAL DE BLOQUEO (3) SE SITUA ENTRE LA TIRA DE RESISTENCIA (2) Y LA ZONA DE LA BASE (4), EN LA SUPERFICIE PRINCIPAL. LA CAPA DE PASIVADO SE CONFIGURA MAS DELGADA EN LA ZONA LIMITE ENTRE LA DE LA TIRA DE RESISTENCIA (2) Y LA ZONA BASE (4). |
