发明名称 |
用于能量限制之积体声能带隙装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明系关于并有一特别适用于定时应用中之振荡器元件的单片积体电路。该振荡器元件包括一具有一安置于一对电极之间的压电材料之谐振器元件。该振荡器元件亦包括一可安置于该谐振器元件之任一侧上的声限制结构。该声限制元件包括低声阻抗材料与高声阻抗材料之交替集合。可将一温度补偿层安置于该压电材料与该等电极中之至少一者之间。该振荡器元件经由一互连件而与一积体电路元件单片式整合。可依序或同时制造该振荡器元件及该积体电路元件。 |
申请公布号 |
TW200935961 |
申请公布日期 |
2009.08.16 |
申请号 |
TW097149162 |
申请日期 |
2008.12.17 |
申请人 |
瑞索楠半导体股份有限公司 |
发明人 |
彼得 莱达 盖莫;马可 麦特拉帕斯卡;休格 沙法;拉杰里希 辛哈 |
分类号 |
H04R31/00(2006.01);H01L41/22(2006.01) |
主分类号 |
H04R31/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
美国 |