| 发明名称 | 一种铜铟镓硒薄膜预制层及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种太阳能电池薄膜预制层及其制备方法。本发明的一种太阳能电池薄膜预制层包括0.03～1.5μm厚的铜层和0.15～3.5μm厚的铜铟镓硒层，所述铜铟镓硒层化学式为CuIn<sub>a</sub>Ga<sub>b</sub>Se<sub>c</sub>，其中，a为0.01～5，b为0.01～5，c为0.01～10；并且，铜在铜铟镓硒层中原子比例在15%以下。所述铜铟镓硒薄膜预制层通过以下方法制得：在金属背电极材料上先制备单质铜层，在铜层之上再制备包含铜、铟、镓、硒四种元素的预制层。通过加热退火工艺，使铜铟镓硒层和铜层反应形成符合化学计量比的单一晶相铜铟镓硒薄膜。所得到的铜铟镓硒薄膜质量好，光电转换效率高。 | ||
| 申请公布号 | CN103779439B | 申请公布日期 | 2016.09.21 |
| 申请号 | CN201210405315.5 | 申请日期 | 2012.10.22 |
| 申请人 | 中物院成都科学技术发展中心 | 发明人 | 郭伟民;廖成;黄迎春;曾波明;刘焕明 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人 | 王芸;刘雪莲 |
| 主权项 | 一种铜铟镓硒薄膜预制层，其特征在于，包括0.03～0.5μm厚的铜层和0.5～2μm厚的铜铟镓硒层，所述铜铟镓硒层化学式为CuIn<sub>a</sub>Ga<sub>b</sub>Se<sub>c</sub>，其中，a为0.01～5，b为0.01～5，c为0.01～10；并且，铜在铜铟镓硒层中原子比例在15%以下。 | ||
| 地址 | 610031 四川省成都市青羊区八宝街90号 | ||