| 发明名称 |
Structure containing epitaxial crystals on a substrate |
| 摘要 |
Crystals of silicon carbide and aluminum nitride, substrates containing same, and the fabrication thereof.
|
| 申请公布号 |
US4489128(A) |
申请公布日期 |
1984.12.18 |
| 申请号 |
US19830472392 |
申请日期 |
1983.03.04 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
RUTZ, RICHARD F. |
| 分类号 |
C01B21/082;C04B35/581;C30B25/02;(IPC1-7):B32B19/00;H01L21/205 |
主分类号 |
C01B21/082 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
