ＭＥＭＳデジタル可変キャパシタ（ＤＶＣ）の処理中の応力制御

摘要

本発明は一般的に、ＭＥＭＳデジタル可変キャパシタ（ＤＶＣ）（９００）及びその製造のための方法に関する。ＭＥＭＳＤＶＣ内の可動プレート（９３８）はＭＥＭＳＤＶＣの適切な動作を確実とするために同一の応力レベルを有するべきである。同一の応力レベルを取得するために、製造中可動プレートはＣＭＯＳ接地から分離される。プレートが完全に形成された後に可動プレートはＣＭＯＳ接地に電気的だけに結合される。その結合は、可動プレートをＣＭＯＳ接地に電気的に結合させる層と同じプルアップ電極を形成する層（９４８）を用いることにより生じる。同一の層は可動プレートをＣＭＯＳ接地に結合させ、またＭＥＭＳＤＶＣに対するプルアップ電極を提供するので、その堆積は同一の処理ステップにおいて生じる。形成後に可動プレートをＣＭＯＳ接地に電気的に結合させることにより可動プレートの複数の層のそれぞれにおける応力は実質的に同一とできる。