Integratable semiconductor storage cell.

摘要

Die Erfindung betrifft eine Speicherzelle mit zwei einander gleichen kreuzgekoppelten Bipolartransistoren, die mit je einem Emitter am Bezugspotential und mit ihrem Kollektor über je einen nichtlinearen Lastwiderstand an einem zweiten Betriebspotential liegen. Für die Informationseingabe weist jeder der beiden Transistoren einen zweiten Emitter auf. Eine solche Speicherzelle soll nach den Offenbarungen der Hauptanmeldung mit einem nichtlinearen Lastwiderstand versehen sein, dessen Stromspannungskennlinie stärker als die Stromspannungskennlinie der Emitter-Basis-Dioden der beiden Transistoren ansteigt. In der Hauptanmeldung ist das Problem durch die Hintereinanderschaltung zweier Schottkydioden gelöst. Eine solche Lösung braucht jedoch erheblichen zusätzlichen Platz auf dem Halbleiterchip bei einer monolithisch intergrierten Realisierung der Speicherzelle. Es wäre deshalb erwünscht, mit nur einer Schottkydiode zum Ziel zu kommen. Hier greift die Erfindung ein, indem sie vorschlägt, die Schottkydiode auf einer Unterlage aus polykristallinem Halbleitermaterial, insbesondere aus undotiertem polykristallinem Silicium, zu erzeugen. Damit ergibt sich die aus Fig. 2 ersichtliche Struktur. Die Erfindung ist für Bipolarspeicher gedacht. Die Hauptanmeldung ist durch die deutsche Patentanmeldung P 27 39 283.2 gegeben.