摘要 |
<p>Dispositivo de fuente poligonal múltiple para "Mosfet", de gran potencia; dicho dispositivo comprende un disco de material semiconductor con una primera superficie y una segunda superficie paralela; dicho dispositivo se caracteriza porque en la citada primera superficie existe una pluralidad de zonas fuentes dispuestas espaciadas simétricamente; una capa aislante de regulación en esa primera superficie y dispuesta entre las regiones fuente; y un electrodo de regulación en dicha capa aislante reguladora; un electrodo de consumo en la segunda superficie y medios de electrodo fuentes/generadores conectados a dichas regiones fuente; un canal del primer de los tipos de conductividad dispuesto alrededor de la periferia exterior de cada una de dichas regiones fuente y bajo la citada capa aislante de regulación; un extremo de cada uno de los cintados canales está eléctricamente conectado a los electrodos generadores; el extremo opuesto de cada uno de los canales está conectado a las regiones respectivas, centralmente dispuestas bajo dicha capa aislante reguladora, que cuenta con el segundo tipo de conductividad; una zona de relativamente alta resistividad del segundo de los tipos de conductividad subyacente a la zona común y continua a dicha zona común; esta cuenta con una conductividad esencialmente superior a la de la region subyacente; la zona común y la zona subyacente están en serie en el trayecto de la corriente desde el primero y el segundo electrodos generadores al electrodo de consumo.</p> |