发明名称 |
TRANSISTORI BIPOLARI A GIUNZIONE, PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE TRANSISTORI CMOS E DMOSDI DISPOSITIVI MONOLITICI A COMPLEMENTARI E DIODI A BASSA SEMICONDUTTORE CONTENENTI PERDITA. |
摘要 |
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申请公布号 |
IT8619231(D0) |
申请公布日期 |
1986.01.30 |
申请号 |
IT19860019231 |
申请日期 |
1986.01.30 |
申请人 |
SGS MICROELETTRONICA S.P.A. |
发明人 |
FRANCO BERTOTTI;CARLO CINI;CLAUDIO CONTIERO;PAOLA GALBIATI |
分类号 |
H01L29/73;H01L;H01L21/331;H01L21/8249;H01L27/04;H01L27/06;H01L29/72;H01L29/78;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L29/73 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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