发明名称 XXRAY EXPOSURE METHOD
摘要 PURPOSE:To inhibit the temperature rise of a target by scanning over target surface with an electron beam.
申请公布号 JPS5376668(A) 申请公布日期 1978.07.07
申请号 JP19760152609 申请日期 1976.12.17
申请人 FUJITSU LTD 发明人 HONMA HITOSHI
分类号 G03F7/20;H01L21/027;H01L21/26;H01L21/302 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
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