发明名称 带竖立式热处理腔的半导体快速热处理设备
摘要 带竖立式热处理腔的半导体快速热处理设备属于超大规模集成电路(ULSI)工艺技术领域,其特征在于,它主要包含有:竖立安装的热处理腔、装片腔、半导体晶片升降机构;还包含片盒到片盒取送片机械手子系统、微机控制子系统、测控温子系统、气路装置、加热电源。热处理腔主要由竖立式圆筒石英(碳化硅)加热腔,在腔内(或腔外)的上端平板石墨加热器,侧面圆筒石墨加热器等组成。将热处理腔、装片腔、半导体晶片升降机构等竖立安装,充分利用高度空间,缩小设备平面占地面积。竖立式热处理腔内从上到下的不同水平面可获得温度从高到低逐渐下降的等温区,控制半导体晶片上升下降的速度可得到晶片不同的升降温速率。
申请公布号 CN1635608A 申请公布日期 2005.07.06
申请号 CN200310112926.1 申请日期 2003.12.26
申请人 清华大学 发明人 林惠旺;陈必贤;王舜远;白玉琦
分类号 H01L21/00;H01L21/324 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项 1.带竖立式热处理腔的半导体快速热处理设备,含有热处理腔和装片腔,其特征在于,它含有:设备外壳;水冷式装片腔腔体,装在所述的外壳内的隔板上,上部开口,下部前端面有狭窄水平开口,在开口处安装有矩形密封阀门,底面安装有测温元件且有氮气进口,可在所述的矩形密封阀门打开时在所述的开口处形成氮气锁;竖立式热处理腔,下部开口,它含有:(1)竖立式圆筒石英加热腔,下部开口,下部的周边与所述水冷式装片腔腔体上部的周边相密封;(2)石墨加热器,有两个,安装在所述竖立式圆筒石英加热腔内:平板石墨加热器安装在所述石英加热腔上端;圆筒石墨加热器安装在所述石英加热腔侧面,所述圆筒石墨加热器的下端和所述石英加热腔的下端经支架相连,它的上端和所述平板石墨加热器分别和所述石英加热腔上端相连接。(3)红外反射罩,有两个,分别安装在平板石墨加热器上方和圆筒石墨加热器外围;(4) 隔热保温罩,装在红外反射罩外,在侧壁上端装有两对用以分别对平板石墨加热器和圆筒石墨加热器进行直流电加热的水冷电极,在侧壁上端下端开有氮气出气口;所述隔热保温罩的下底面和所述装片腔固定连接;半导体晶片升降机构,它含有:(1)半导体晶片升降用的驱动控制装置,它安装在所述隔板上,位于所述隔板的下方;(2)石英传送杆,它与所述驱动控制装置的驱动轴相连,且可沿着所述的隔板和水冷式装片腔腔体底部的轴孔而上下升降;(3)无滑移线保护环,固定在位于所述石英传送杆顶端处石英片托上,位于半导体晶片的周围;片盒到片盒取送片机械手子系统,它含有:(1)机械手驱动控制装置,它安装在所述隔板上,位于所述隔板的下方;(2)三折臂机械手,它与所述机械手驱动控制装置的穿过所述隔板的驱动轴转动连接,在打开所述矩形密封阀门后,所述三折臂机械手的前臂在所述机械手驱动控制装置驱动下,可经过所述水平开口处伸入所述水冷式装片腔形成的晶片冷却区内;(3)晶片取片器固定在所述三折臂机械手前臂的前端;(4)晶片冷却台,收片盒,供片盒和预对中晶片台都顺时针按圆周方向安装在所述的隔板上,所述圆周方向的运动轨迹是由所述取片器在所述机械手驱动控制装置驱动下所做的圆周运动决定的;(5)一级超净层流罩,固定在所述外壳的上部,正对着所述的片盒到片盒取送片机械手子系统的上方;(6)SMIF即微超净环境装置的对接口,左右各一个,分别安装在正对着所述的收片盒,供片盒的外壳表面。此外,还有微机控制子系统、测控温子系统、气路装置、加热电源。
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