| 主权项 |
1.一种包含一衬垫结构之半导体装置,其至少包含:一金属线,在一半导体基材上;一介电层,在该金属线上;该介电层包含导孔,其具有侧壁及一底部,其中该等侧壁及底部之延伸部份穿入该金属线;一第一衬垫层在该导孔之等侧壁上,而不在底部上;及一第二衬垫层在该第一衬垫层上、在该等侧壁之穿入该金属线之部份上及在该导孔的底部上。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中上述之介电层包含一低介电常数介电质。3.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,其中上述之低介电常数介电质包含一低聚合物、未固化聚合物或已固化聚合物,其包含一或多数多官能化合物之反应产物,包含两或多数环五二烯酮基及至少一多官能化合物,其包含二或更多芳香族乙炔基,其中至少一多官能化合物包含由乙炔基及环五二烯酮基所构成之群组中选出之三或更多之官能基。4.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中上述之金属线包含铜。5.如申请专利范围第4项所述之半导体装置,其中上述之导孔之侧壁及底部的延伸部份穿入金属线至少约200埃之距离。6.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中上述之衬垫层包含一耐火金属或其化合物。7.如申请专利范围第6项所述之半导体装置,其中上述之第二衬垫层包含一耐火金属及其化合物。8.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中上述之介电层包含一低介电常数介电质;该金属线包含铜;该第一衬垫层包含一耐火金属或其化合物;该第二衬垫层包含一耐火金属或其化合物;及导孔之侧壁及底部之延伸部份穿入金属线范围由约200埃至约1000埃的距离。9.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中上述之导孔被填充以一导体。10.如申请专利范围第9项所述之半导体装置,其中上述之介电层表面系与填充导孔之导体同平面。11.如申请专利范围第10项所述之半导体装置,其中上述之导体包含铜。12.如申请专利范围第11项所述之半导体装置,其中上之导体包含电镀铜。13.如申请专利范围第12项所述之半导体装置,其中上述之金属线包含铜;及导孔之侧壁及底部延伸部份穿入金属线至少约200埃之距离。14.如申请专利范围第13项所述之半导体装置,其中上述之介电层包含一低介电常数介电质;该第一衬垫层包含一耐火金属或其化合物;该第二衬垫层包含一耐火金属或其化合物;及该导孔之侧壁及底部的延伸部份穿入该金属线范围由约200埃至约1000埃之距离。15.如申请专利范围第14项所述之半导体装置,其中上述之被填以铜之导孔系为一双层嵌入特性。图式简单说明:第1A-1F图为示意剖面图,显示依据本发明之方法;及第2A及2B图为依据先前技术及本发明之金属化结构的SEM剖面图。 |
