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发明名称 半导体记忆装置
摘要 具备：位元线对，用以连接复数个记忆单元；复数个预充电电路，用来将前述位元线对顶充电到与高位准及低位准之平均值不同的第一电压；位元线预充电电源线(VBP
申请公布号 TW200300554 申请公布日期 2003.06.01
申请号 TW091133356 申请日期 2002.11.14
申请人 松下电器产业股份有限公司 发明人 折笠 宪一;大田清人;广濑 雅庸
分类号 G11C11/407 主分类号 G11C11/407
代理机构 代理人 林镒珠
主权项
地址 日本
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