| 摘要 |
一种能降低整体电路面积及改善P型金氧半电晶体(PMOS)迁移率及操作特性的静态随机存取记忆体(SRAM)。本发明之静态随机存取记忆体形成于一绝缘层上有矽(SOI)的基底，该基底具有第一及第二主动区。一第一存取N型金氧半电晶体(NMOS)及一由一第一驱动N型金氧半电晶体及一第一负载P型金氧半电晶体组成的第一反相器形成于第一主动区。一第二存取N型金氧半电晶体及一由一第二驱动N型金氧半电晶体及一第二负载P型金氧半电晶体组成的第二反相器形成于第二主动区。该第一及第二负载P型金氧半电晶体之通道延伸以使得载子以【110】的矽结晶方向移动。在每一个主动区中，存取N型金氧半电晶体的汲极(或源极)，驱动N型金氧半电晶体的汲极，负载P型金氧半电晶体的汲极彼此接触于一共同区域。因为静态随机存取记忆体形成于绝缘层上有矽的基底，晶片的大小可有效降低。而且由于该第一及第二负载P型金氧半电晶体之通道延伸以使得载子以【110】的矽结晶方向移动，P型金氧半电晶体(PMOS)迁移率也得以改善。 |
