PMOSFET及由此制造的CMOS器件

摘要

提出了一种亚微米PMOSFET，它包含n⁺多晶硅栅和具有In或Ga杂质浓度的掩埋沟道。此掩埋沟道PMOSFET具有改进了的短沟道特性且特别适合于CMOS工艺。

主权项

1.一种PMOSFET半导体器件，它包含：a.一个带有一主表面的第一导电类型的半导体衬底；b.形成在上述半导体衬底主表面内的第二导电类型的相互隔开的源区和漏区，在源区和漏区之间的上述衬底的主表面内确定一个沟道区，上述沟道区包含一个选自In、Ga及其混合物的杂质离子；c.一个形成在上述沟道区主表面上的隔离膜；以及d.一个形成在上述隔离膜表面上对着上述沟道区的第一导电类型的栅电极，其中所述的栅电极包含具有上述第一导电类型的离子的高杂质浓度的多晶硅。