| 摘要 |
Un dispositif à semi-conducteurs (10) comprend un substrat à semi-conducteurs (12) constituant la partie inférieure d'un boîtier (14) du dispositif, et une plaque de céramique constituant la partie supérieure (16) ou la partie de couvercle du dispositif. Le substrat comprend, sur sa surface supérieure (28), une couche de métal (32) disposée le long du bord externe du substrat et espacée par rapport aux électrodes (24) se trouvant sur la surface supérieure du substrat. La plaque de céramique comprend, sur sa surface inférieure et le long de son bord externe, une feuille de cuivre (26) qui chevauche la couche métallique et est soudée à celle-ci. La plaque de céramique comporte également des ouvertures (36) qui sont hermétiquement fermées par des feuilles de cuivre (40, 44) à l'intérieur du boîtier, ces feuilles étant soudées à des électrodes respectives du substrat. Un procédé d'assemblage consiste à former un réseau de couvercles reliés de façon solidaire et un réseau de substrats reliés de façon solidaire, chacun des réseaux comprenant les couches et les feuilles susmentionnées, à souder les réseaux ensemble pour former un réseau de dispositifs, et à découper les réseaux pour former des dispositifs individuels. |
