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发明名称
半导体记忆体装置及感应放大器致动信号产生方法
摘要
一种半导体记忆体装置,包含一个包含数个记忆体细胞的细胞阵列;一个感应放大器;及一个自动定时单元,该自动定时单元包含数条虚拟位元线、依据资料被读取之记忆体细胞的位置来选择该虚拟位元线、及于读取资料之时产生一个用于控制一个感应放大器之致动时序的致动信号。
申请公布号
TW200609939
申请公布日期
2006.03.16
申请号
TW093140260
申请日期
2004.12.23
申请人
富士通股份有限公司
发明人
清水宏
分类号
G11C11/40
主分类号
G11C11/40
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
日本
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