| 发明名称 | 用于使各向异性晶体膜从供体转移到受体的方法和设备,以及供体 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种形成各向异性晶体膜的方法，包括提供供体(103)以及受体(101)，该供体包括基底(104)以及与基底相结合的各向异性晶体膜(102)。各向异性晶体膜的至少一部分被置放于与受体相接触。对基底的至少一部分施加负载(105)，由此在供体和受体上提供剪应力和压应力，而将各向异性晶体膜的至少一部分转移到受体上，并将各向异性晶体膜的至少一部分从基底上剥离。 | ||
| 申请公布号 | CN1890587A | 申请公布日期 | 2007.01.03 |
| 申请号 | CN200480036549.0 | 申请日期 | 2004.12.15 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 帕维尔·拉扎列夫;迈克尔·V·波克施托 |
| 分类号 | G02B5/30(2006.01) | 主分类号 | G02B5/30(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;张英 |
| 主权项 | 1.一种形成各向异性晶体膜的方法，包括：提供包括基底和至少一个各向异性晶体膜的供体；提供受体；将所述各向异性晶体膜的至少一部分置放于与所述受体相接触；以及对所述基底的至少一部分施加负载，由此在所述供体和受体上提供剪应力和压应力的分布，以及将所述各向异性晶体膜的至少一部分转移到所述受体上，并将所述各向异性晶体膜的至少一部分从所述基底上剥离。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||