发明名称 |
一种适用于Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub>基热电元件的合金电极及该热电元件的制备工艺 |
摘要 |
本发明涉及一种适用于p型Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub>基热电材料相匹配的合金电极及该Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub>基热电元件的制备工艺,该合金电极为Ti-Ni合金,不仅电导率和热导率高,本发明提供的Ti-Ni合金与Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub>基热电材料具有非常接近的热膨胀系数。Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub>基热电元件的制备是利用快速热压烧结 (RHPS)技术直接将Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub>基热电材料于Ti-Ni合金电极烧制而成,不需要中间过渡连接层。烧结完毕后的电极界面结合非常稳定,且Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub>/电极界面无明显的电阻跃迁。该制备工艺简单,非常适用于Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub>基热电发电器件的制备,可用于大批量生产制备。 |
申请公布号 |
CN105679928A |
申请公布日期 |
2016.06.15 |
申请号 |
CN201610058234.0 |
申请日期 |
2016.01.28 |
申请人 |
济南大学 |
发明人 |
赵德刚;宁纪爱;左敏;王振卿 |
分类号 |
H01L35/04(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L35/04(2006.01)I |
代理机构 |
济南泉城专利商标事务所 37218 |
代理人 |
李桂存 |
主权项 |
一种适用于Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub>基热电元件的合金电极,其特征在于,该合金电极为Ti‑Ni合金。 |
地址 |
250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号 |