发明名称 在光致抗蚀剂层表面内形成凹陷的方法
摘要 在光致抗蚀剂层(1)的表面(4)内形成凹陷(15)的方法,该方法包括使用第一剂量的辐射能量(7)曝光(100、120、101、102、122)光致抗蚀剂层的第一部分(12)。使用第二剂量的辐射能量(7)曝光(120、101、122)该层的第二部分(17)。第二剂量小于第一剂量。烘焙(110、130、131、132)该层。
申请公布号 CN1890610A 申请公布日期 2007.01.03
申请号 CN200480036934.5 申请日期 2004.11.29
申请人 惠普开发有限公司 发明人 M·夏拉维;T·R·斯特朗
分类号 G03F7/20(2006.01);B01J2/14(2006.01) 主分类号 G03F7/20(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 刘红;陈景峻
主权项 1.在光致抗蚀剂层(1)的表面(4)内形成凹陷(15)的方法,包括:使用第一剂量的辐射能量7曝光(100、120、101、102、122)光致抗蚀剂层(1)的第一部分(12);使用第二剂量的辐射能量(7)曝光(120、101、122)光致抗蚀剂层的第二部分(17);以及烘焙(110、130、131、132)该层。
地址 美国德克萨斯州