发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls
摘要 Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls gemäß einem CZ-Verfahren, umfassend: Voruntersuchen einer Korrelation zwischen einem Al/Li-Verhältnis, enthalten in einem Quarzrohmaterialpulver, das zur Herstellung des Quarztiegels verwendet wurde, einer Verwendungszeit des Quarztiegels, einem Entglasungsverhältnis bei der Verwendungszeit und dem Auftreten oder Nichtauftreten von Schmelzleckage, die dem Entglasungsteil zugeordnet werden kann; Einstellen eines Bereichs des Entglasungsverhältnisses des Quarztiegels, der beim Wachsenlassen des Einkristalls zur Verwendung kommt, um keine Schmelzleckage zu erzeugen, und Bestimmen der maximalen Verwendungsdauer des Quarztiegels gemäß dem Al/Li-Verhältnis, enthalten in dem Quarzrohmaterialpulver, das zur Herstellung des Quarztiegels verwendet wurde, um so innerhalb des eingestellten Bereichs des Verhältnisses, auf Basis der Korrelation, zu fallen; und Wachsenlassen des Einkristalls unter Verwendung des Quarztiegels in dem Bereich der maximalen Verwendungszeit. Dies stellt ein Herstellungsverfahren zur Verfügung, welches einen Quarztiegel effizient verwenden kann zum Wachsenlassen eines Einkristalls während das Auftreten von Schmelzleckage verhindert wird.
申请公布号 DE112014005170(T5) 申请公布日期 2016.08.11
申请号 DE20141105170T 申请日期 2014.11.12
申请人 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 发明人 Sawazaki, Yasuhiko;Iwasaki, Atsushi;Miyahara, Yuuichi;Takashima, Shou
分类号 C30B29/06;C30B15/10 主分类号 C30B29/06
代理机构 代理人
主权项
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