| 发明名称 | 沟槽栅功率场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种沟槽栅功率场效应晶体管，包括：源极层和漏极层，所述源极层设置在衬底的第一表面，所述漏极层设置在衬底与第一表面相对的第二表面；掺杂阱层，所述掺杂阱层设置在所述源极层和漏极层之间，且与所述源极层和漏极层贴合，所述源极层和漏极层具有第一导电类型，所述掺杂阱层具有第二导电类型；栅极，所述衬底的第一表面进一步具有一沟槽，所述沟槽内壁覆盖有栅介质层，所述栅极在所述栅介质层围拢的空间内；所述掺杂阱层在垂直于衬底表面的方向包括由Si<sub>1‑x</sub>Ge<sub>x</sub>/Si构成的异质结。本发明的优点在于，可以通过调整Ge的摩尔百分比来调整异质结的能带结构，实现器件的优化。 | ||
| 申请公布号 | CN103745998B | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201310745065.4 | 申请日期 | 2013.12.31 |
| 申请人 | 上海新傲科技股份有限公司 | 发明人 | 魏星;徐大伟;狄增峰;方子韦 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 孙佳胤;翟羽 |
| 主权项 | 一种沟槽栅功率场效应晶体管，包括：源极层和漏极层，所述源极层设置在衬底的第一表面，所述漏极层设置在衬底与第一表面相对的第二表面；掺杂阱层，所述掺杂阱层设置在所述源极层和漏极层之间，且与所述源极层和漏极层贴合，所述源极层和漏极层具有第一导电类型，所述掺杂阱层具有第二导电类型；栅极，所述衬底的第一表面进一步具有一沟槽，所述沟槽内壁覆盖有栅介质层，所述栅极在所述栅介质层围拢的空间内；其特征在于：所述掺杂阱层在垂直于衬底表面的方向包括由Si<sub>l一X</sub>Ge<sub>X</sub>/Si构成的异质结，其中x大于0且小于1，所述Si<sub>l一X</sub>Ge<sub>X</sub>层直接与所述源极接触。 | ||
| 地址 | 201821 上海市嘉定区普惠路200号 | ||