| 发明名称 | 一种边发射半导体激光器腔面的再生方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种边发射半导体激光器腔面的再生方法，包括：(1)采用高选择比腐蚀剂对失效的边发射半导体激光器进行选择性腐蚀，在激光器两端损坏的谐振腔腔面处形成悬臂结构；(2)采用压针对上述悬臂结构外侧靠近激光器腔面处施加外力，使得损坏的腔面自然解理，形成新的腔面。本发明可以使由于COD问题失效的激光器，恢复大部分工作性能，有效延长激光器的使用寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN105742957A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201610172695.0 | 申请日期 | 2016.03.24 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 王亚楠;李耀耀;王庶民;曹春芳 |
| 分类号 | H01S5/10(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 黄志达 |
| 主权项 | 一种边发射半导体激光器腔面的再生方法，包括：(1)采用高选择比腐蚀剂对失效的边发射半导体激光器进行选择性腐蚀，在激光器两端损坏的谐振腔腔面处形成悬臂结构；(2)采用压针对上述悬臂结构外侧靠近激光器腔面处施加外力，使得损坏的腔面自然解理，形成新的腔面。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室 | ||