| 发明名称 | 一种MEMS器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有凹槽；步骤S2：提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆上形成有穿通所述顶部晶圆的预埋隧道；步骤S3：将所述顶部晶圆和所述底部晶圆相接合，其中所述预埋隧道位于所述凹槽的上方，以形成气体通道；步骤S4：将所述顶部晶圆研磨打薄，以减小所述顶部晶圆的厚度；步骤S5：执行高温工艺步骤。在本发明中顶部晶圆上的所述预埋隧道可以作为气体通道将膨胀的气体排出，以避免将所述顶部晶圆很薄的硅顶破，提高了所述MEMS器件的性能和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN106185785A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201510217735.4 | 申请日期 | 2015.04.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郑超;肖勇 |
| 分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有凹槽；步骤S2：提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆上形成有穿通所述顶部晶圆的预埋隧道；步骤S3：将所述顶部晶圆和所述底部晶圆相接合，其中所述预埋隧道位于所述凹槽的上方，以形成气体通道；步骤S4：将所述顶部晶圆研磨打薄，以减小所述顶部晶圆的厚度；步骤S5：执行高温工艺步骤。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||