| 发明名称 | 金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座 | ||
| 摘要 | 一种金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座，包括：一圆盘状的反应基座，该反应基座上开有三个圆形凹槽，该圆形凹槽边缘为圆弧过渡结构，该反应基座中心处存在一个圆弧脊形过渡结构，使得反应基座表面中心处高于其他部分，该反应基座的材料为镀有一层碳化硅的石墨。本发明可以提高MOCVD沉积薄膜的质量，提高外延薄膜的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN105803425A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201610320424.5 | 申请日期 | 2016.05.16 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘双韬;赵德刚;陈平;朱建军;刘宗顺 |
| 分类号 | C23C16/458(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/458(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座，包括：一圆盘状的反应基座，该反应基座上开有三个圆形凹槽，该圆形凹槽边缘为圆弧过渡结构，该反应基座中心处存在一个圆弧脊形过渡结构，使得反应基座表面中心处高于其他部分。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||