晶圆级MOSFET金属化

摘要

制造具有晶体管的晶圆级芯片规模封装(WLCSP)器件的系统和方法包括使用双金属漏极接点技术，其中的晶体管具有在该晶体管一个侧面上的源极、漏极和栅极接点，同时仍然具有低漏源接通电阻R_DS(on)的优异电性能。该R_DS(on)通过利用硅通孔(TSV)来形成漏极接点或通过利用紧密连接于漏极漂移区的铜层而被进一步改善。

主权项

一种包括晶体管的晶圆级芯片规模封装器件，包括：垂直晶体管，其包括源极接点和漏极接点，所述源极接点和所述漏极接点设置在所述垂直晶体管的相同侧面上；第一金属层，其包括：耦接于所述垂直晶体管的源极区的第一金属源极层；和耦接于所述垂直晶体管的漏极区的第一金属漏极层；其中所述第一金属源极层和所述第一金属漏极层彼此电绝缘；以及第二金属层，其包括：耦接于所述源极接点和所述第一金属源极层的第二金属源极层；和耦接于所述漏极接点和所述第一金属漏极层的第二金属漏极层；其中所述第二金属源极层和所述第二金属漏极层彼此电绝缘；设置在邻近所述源极区的沟槽中的栅结构；邻近所述沟槽和所述源极区设置的阱区；邻近且在所述阱区下方并且直接在衬底上设置的漂移区；传导通路，其从所述漏极接点基本上垂直地延伸至所述衬底，横向地穿过所述衬底，并且通过所述漂移区从所述衬底垂直地延伸至所述源极接点；其中所述第一金属源极层、所述第一金属漏极层、所述第二金属源极层、和所述第二金属漏极层交叠，所述第一金属源极层垂直于所述第二金属源极层排列，并且所述第一金属漏极层垂直于所述第二金属漏极层排列。