| 发明名称 | 高电压金属氧化物半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高电压金属氧化物半导体装置，包含一栅极结构，设置于一半导体基底上方；一对绝缘间隙物，分别设置于该栅极结构的侧壁上；以及一对悬浮非绝缘间隙物，分别嵌入于该绝缘间隙物中，其中各该悬浮非绝缘间隙物借由该绝缘间隙物与该栅极结构及该半导体基底隔离。通过本发明，热载流子造成抵抗力下降现象可明显的改善，进而改善组件传输电导(G<sub>m</sub>)及饱和漏极电流(I<sub>dsat</sub>)下降现象。 | ||
| 申请公布号 | CN100563027C | 申请公布日期 | 2009.11.25 |
| 申请号 | CN200610094035.1 | 申请日期 | 2006.06.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吴华书;洪丰基;陈鸿霖;李士敬 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨 |
| 主权项 | 1.一种高电压金属氧化物半导体装置，包含：一包含栅极介电层及栅极电极层的栅极结构，设置于一半导体基底上方；一对绝缘间隙物，分别设置于该栅极结构的垂直侧壁上；以及一对悬浮非绝缘间隙物，分别嵌入于该绝缘间隙物中，其中各该悬浮非绝缘间隙物借由该绝缘间隙物与该栅极结构及该半导体基底隔离。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||