サイクリック薄膜蒸着方法及び半導体製造方法及び半導体素子

摘要

本発明の一実施形態によると，サイクリック薄膜蒸着方法は，対象物がローディングされたチャンバの内部にシリコン前駆体を注入して，前記対象物上にシリコンを蒸着する蒸着段階，前記チャンバの内部で未反応シリコン前駆体及び反応副産物を除去する第１パージ段階，前記チャンバの内部に酸素を含む第１反応ソースを供給して蒸着された前記シリコンをシリコンが含まれる酸化膜で形成する反応段階，及び前記チャンバの内部で未反応の第１反応ソースと反応副産物を除去する第２パージ段階を繰り返し行う酸化膜蒸着段階と，前記チャンバの内部に窒素を含む第２反応ソースから生成されたプラズマを提供して，前記シリコンが含まれる酸化膜を処理するプラズマ処理段階とを含む。