| 主权项 |
1.一种半导体装置,其主要特征包括:半导体基板、被形成在上述半导体基板上之第1绝缘层、被形成在上述第1半导体基板上之多个第1配线、使上述多个第1配线之间完全成为空洞,而被形成在上述多个第1配线上之第2绝缘层、被形成在上述第2绝缘层上之多个第2配线、被埋入到在上述第2绝缘层所形成之经由孔内,而使上述多个第1配线与上述多个第2配线连接之第2导电层、以及使上述多个第2配线之间完全成为空洞,而被形成在上述多个第2配线上的第3绝缘层。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,在上述多个第1及及第2配线之间的空洞内则至少充满了氧与二氧化碳的混合气体。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,在上述多个第1以及第2配线之间的空洞内乃充满了空气。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,上述第2绝缘层的表面乃呈平坦。5.一种半导体装置之制造方法,其主要特征包括:在半导体基板上形成第1绝缘层的工程、在上述第1绝缘层上形成固体层的工程、在上述固体层形成多个沟的工程、将导电体只埋入到上述多个沟内而形成多个配线的工程、在上述固体层上以及上述多个配线上形成第2绝缘层的工程、以及藉着使上述固体层氧化,使上述固体层转换成气体层的工程。6.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,上述固体层为碳层,藉着使上述碳层灰化,可以使上述多个配线之间至少充满了氧与二氧化碳的混合气体。7.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,上述固体层系由当在形成上述导电体时之温度以下时为固体层,而可进行上述多个沟的加工,且藉由氧化很容易变成气体层的材料所构成。8.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,乃包括有:在上述固体层上形成掩罩材之工程、藉由照相蚀刻工程对上述掩罩材进行加工的工程、当该掩罩材当作掩罩,藉由异方性蚀刻对上述固体层进行蚀刻的工程、以及将上述掩罩材剥离的工程。9.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,当上述掩罩材为氧化物所构成时,上述掩罩材可藉由喷溅法被形成。10.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,上述多个沟系藉由以下的工程而被形成,亦即,在上述固体层上形成光抗蚀层、对上述光抗蚀层实施图案处理之工程,将该光蚀层当作掩罩,而藉由异方性蚀刻对上述固体层进行蚀刻的工程、以及将上述光抗蚀层剥离的工程。11.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方法,上述光抗蚀层可以藉由H2SO4与H2O2的药液而被剥离。12.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,当上述第2绝缘膜由氧化物而构成时,则上述第2绝缘层可以藉由喷溅法而被形成。13.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,上述固体层的氧化可以藉由在氧环境下的热处理或氧电浆处理而被达成。14.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,备有在上述气体层充满空气的工程。15.一种半导体装置,其主要特征包括:半导体基板、被形成在上述半导体基板之表面领域的半导体元件、在上述半导体基板上形成可覆盖上述半导体元件的第1绝缘层、被形成在上述第1绝缘层上之多个第1配线、被埋入到在上述第1绝缘层上所形成接触孔内,而使上述半导体元件与上述多个第1配线连接的第1导电层、以及使上述多个第1配线之间完全成为空洞,而被形成在上述多个第1配线上第2绝缘层。16.如申请专利范围第15项之半导体装置,乃备有:被形成在上述第2绝缘膜上之多个第2配线、被埋入到在上述第2绝缘层所形成之经由孔,而使上述多个第1配线与上述多个第2配线连接的第2导电层、以及上述多个第2配线之间完全成为空洞,而被形成在上述多个第2配线上之第3绝缘层。17.如申请专利范围第16项之半导体装置,在上述多个第1配线之间的空洞内以及上述多个第2配线之间的空洞内则分别至少充满了氧与二氧化碳的混合气体。18.如申请专利范围第16项之半导体装置,在上述多个第1配线之间的空洞内以及上述多个第2配线之间的空洞内则分别至少充满了空气。19.如申请专利范围第16项之半导体装置,上述第2绝缘层以及上述第3绝缘层的表面乃呈平坦。20.一种半导体装置之制造方法,其主要特征包括:在半导体基板之表面领域上形成半导体元件的工程,在上述半导体基板上形成可以覆盖上述半导体元件之第1绝缘层的工程、在上述第1绝缘层形成可以到达上述半导体元件之接触孔的工程、将第1导电层埋入到上述第1导电层上的工程、在上述第1固体层形成多个第1沟的工程、将导电体只埋入到上述多个第1沟内,而形成多个第1配线的工程、在上述第1固体层上以及上述多个第1配线上形成第2绝缘层的工程、以及藉着使上述第1固体层氧化,可以使上述第1个固体层转换成第1氧体层的工程。21.如申请专利范围第20项之半导体装置之制造方法,具备有:在上述第2绝缘层上形成第3绝缘层的工程,在上述第2以及第3绝缘层形成可以到达上述多个第1配线之经由孔的工程,将第2导电层埋入到上述经由孔内之工程、在上述第3绝缘层上以及上述第2导电层上形成第2固体层的工程、在上述第2固体层形成多个第2沟的工程、将导电体只埋入到上述多个第2沟内,而形成多个第2配线的工程、在上述第2固体层上以及上述多个配线上形成第4绝缘层的工程、以及藉着使上述第2固体层氧化,可以使上述第2固体层转换成第2气体层的工程。22.如申请专利范围第21项之半导体装置之制造方法,上述第1以及第2固体层为碳层,藉着使上述碳层化,可以使上述多个第1以及第2配线之间至少充满了氧与二氧碳的混合气体。23.如申请专利范围第21项之半导体装置之制造方法,上述第1以及第2固体层系由当在形成上述导电体时之温度以下时为固体,而可进行上述多个沟的加工,且藉由氧化很容易变成气体层的材料所构成。24.如申请专利范围第20项之半导体装置之制造方法,上述多个第1沟系藉由以下的工程被形成,亦即,在上述第12固体层上形成掩罩材的工程、藉由照相蚀刻工程对上述掩罩材进行加工的工程,将该掩罩材当作掩罩,而藉由异方性蚀刻对上述第1固体层进行蚀刻的工程、以及将上述掩罩材剥离的工程。25.如申请专利范围第20项之半导体装置之制造方法,上述多个第12沟系藉由以下的工程被形成,亦即,在上述第12固体层上形成掩罩材的工程、藉由照相蚀刻工程对上述掩罩材进行加工的工程,将该掩罩材当作掩罩,而藉由异方性蚀刻对上述第12固体层进行蚀刻的工程、以及将上述掩罩材剥离的工程。26.如申请专利范围第21项之半导体装置之制造方法,上述多个第2沟系藉由以下的工程被形成,亦即,在上述第2固体层上形成掩罩材的工程、藉由照相蚀刻工程对上述掩罩材进行加工的工程、以及将该掩罩材当作掩罩,藉由异方性蚀刻对上述第2固体层进行蚀刻的工程。27.如申请专利范围第21项之半导体装置之制造方法,上述多个第2沟系藉由以下的工程被形成,亦即,在上述第2固体层上形成掩罩材的工程、藉由照相蚀刻工程对上述掩罩材进行加工的工程、将该掩罩材当作掩罩,藉由异方性蚀刻对上述第2固体层进行蚀刻的工程、以及使上述掩罩材剥离的工程。28.如申请专利范围第24至第27项之任一项之半导体装置之制造方法,当上述掩罩材由氧化物所构成时,则上述掩罩材可以藉由喷溅法被形成。29.如申请专利范围第21项之半导体装置之制造方法,当上述第2绝缘层由氧化物所构成时,则上述第2绝缘层可以藉由喷溅法被形成。30.如申请专利范围第20项之半导体装置之制造方法,当上述第4绝缘层由氧化物所构成时,则上述第4绝缘层可以藉由喷溅法被形成。31.如申请专利范围第21项之半导体装置之制造方法,上述第1以及第2固体层的氧化,可以藉由在氧环境下的热处理或是氧电浆处理而被达成。32.如申请专利范围第21项之半导体装置之制造方法,具备有在上述第1以及第2气体层充满空气的工程。33.一种半导体装置,其主要特征包括:半导体基板、被形成在上述半导体基板上之第1绝缘层、被形成在上述第1绝缘层上之多个第1配线、使上述多个第1配线之间完全成为空洞,而被形成在上述多个第1配线上之第2绝缘层、被形成于在上述第2绝缘层上所形成之接触孔内以及上,而被连接到上述多个第1配线之柱状的多个导电层,使上述多个导电层之间完全成为空洞,而被形成在上述多个导电层上的第3绝缘层,被形成在上述第3绝缘层上,且经由被形成在上述第3绝缘层的接触孔,而被连接到上述多个导电层的多个第2配线、以及使上述多个第2配线之间完全成为空洞,而被形成在上述多个第2配线上的第4绝缘层。34.如申请专利范围第33项之半导体装置,在上述多个第1配线间之空洞内,上述多个导电层间之空洞内以及上述多个第2配线间之空洞内,则至少充满了氧与二氧化碳的混合气体。35.如申请专利范围第33项之半导体装置,在上述多个第1配线间之空洞内,上述多个导电层之空洞内以及上述第2配线间之空洞内,则分别充满了空气。36.如申请专利范围第33项之半导体装置,上述第2.第3以及第4绝缘层的表面乃呈平坦。37.一种半导体装置之制造方法,其主要特征包括:在半导体基板上形成第1绝缘层的工程、在上述第1绝缘层上形成第1固体层的工程、在上述第1固体层形成多个第1沟的工程、将导电体只埋入到上述多个第1沟内,而形成多个第1配线的工程、在上述第1固体层上以及上述多个第1配线上形成第2绝缘层的工程、使上述第1固体层氧化,将上述第1固体层转换成第1气体层的工程、在上述第2绝缘层上形成第2固体层的工程、在上述第2固体层以及上述第2绝缘层形成可以到达上述多个第1配线之多个第1接触孔的工程、将导电体只埋入到上述多个第1接触孔内,而形成柱状之多个导电层的工程、在上述第2固体层上以及上述多个导电层上形成第3绝缘层的工程、在上述第3绝缘层上形成第3固体层的工程、在上述第3固体层形成多个第2沟的工程、在上述第3绝缘层形成可以到达上述多个导电层之多个第2接触孔的工程、将导电体埋入到上述多个第2沟内以及上述多个第2接触孔内,而形成多个第2配线的工程、在上述第3固体层上以及上述多个第2配线上形成第4绝缘层的工程、以及使上述第2与第3固体层氧化,而使上述第2与第3固体层转换成第2与第3气体层的工程。38.如申请专利范围第37项之半导体装置之制造方法,上述第1.第2以及第3固体层为碳层,藉着使上述碳层灰化,可以使上述多个第1以及第2配线之间成为至少充满了氧与二氧化碳之混合气体的空洞。39.如申请专利范围第37项之半导体装置之制造方法,上述第1.第2以及第3固体层系由当在上述以及第2沟内、以及上述第1.第2接触孔内形成导电体时之温度以下时为固体,而可对上述第1或是第2沟进行加工,或是对上述接触孔进行加工,且藉由氧化很容易变成气体层的材料所构成。40.如申请专利范围第37项之半导体装置之制造方法,上述多个第12沟系藉由以下的工程被形成,亦即,在上述第12固体层上形成掩罩材的工程、藉由照相蚀刻工程对上述掩罩材进行加工的工程,将该掩罩材当作掩罩,而藉由异方性蚀刻对上述第1固体层进行蚀刻的工程、以及将上述掩罩材剥离的工程。41.如申请专利范围第37项之半导体装置之制造方法,上述多个第12沟系藉由以下的工程被形成,亦即,在上述第12固体层上形成掩罩材的工程、藉由照相蚀刻工程对上述掩罩材进行加工的工程,将该掩罩材当作掩罩,而藉由异方性蚀刻对上述第12固体层进行蚀刻的工程、以及将上述掩罩材剥离的工程。42.如申请专利范围第37项之半导体装置之制造方法,上述多个第1接触孔系藉由以下的工程被形成,亦即,在上述第2固体层上形成掩罩材的工程、藉由照相蚀刻工程对上述掩罩材进行加工的工程,以及将该掩罩材当作掩罩,而藉由异方性蚀刻,对上述第23固体层进行蚀刻的工程。43.如申请专利范围第37项之半导体装置之制造方法,上述多个第1接触孔系藉由以下的工程被形成,亦即,在上述第2固体层形成掩罩材的工程、藉由照相蚀刻工程对上述掩罩材进行加工的工程,将该掩罩材当作掩罩,而藉由异方性蚀刻,对上述第23固体层进行蚀刻的工程、以及使上述掩罩材剥离的工程。44.如申请专利范围第37项之半导体装置之制造方法,上述多个第2沟系藉由以下的工程被形成,亦即,在上述第3固体层上形成掩罩材的工程、藉由照相蚀刻工程对上述掩罩材进行加工的工程,以及将该掩罩材当作掩罩,而藉由异方性蚀刻,对上述第3固体层进行蚀刻的工程。45.如申请专利范围第37项之半导体装置之制造方法,上述多个第2沟系藉由以下的工程被形成,亦即,在上述第3固体层形成掩罩材的工程、藉由照相蚀刻工程对上述掩罩材进行加工的工程,将该掩罩材当作掩罩,而藉由异方性蚀刻,对上述第3固体层进行蚀刻的工程、以及使上述掩罩材剥离的工程。46.如申请专利范围第40项至第45项之任一项之半导体装置之制造方法,当上述掩罩材由氧化物所构成时,则上述掩罩材可以藉由喷溅法被形成。47.如申请专利范围第37项之半导体装置之制造方法,当上述第2.第3以及第4绝缘层系由氧化物所构成时,则上述第2.第3以及第4绝缘层分别可以藉由喷溅法被形成。48.如申请专利范围第37项之半导体装置之制造方法,上述第1.第2以及第3固体层氧化,可以藉由在氧环境下的热处理或是氧电浆处理来达成。49.如申请专利范围第37项之半导体装置之制造方法,具备有在上述第1.第2以及第3空气层内充满空气的工程。50.一种半导体装置,其主要特征包括:半导体基板,被形成在上述半导体基板上之第1绝缘层,被形成在上述第1绝缘层上的多个第1配线、使上述多个第1配线之间完全成为空洞,而被形成在上述多个第1配线上的第2绝缘层、由下部与下部所形成,其中上部被形成为线状,下部则呈柱状地被形成于在上述第2绝缘层上的形成之接触孔内以及上方,而被连接到上述多个第1配线的多个第2配线、使上述多个第2配线之下部间完全成为空洞,而被形成在上述多个第2配线之上部与下部之间的第3绝缘层,以及使上述多个第2配线之上部之间完全成为空洞,而被形成在上述多个第2配线上的第4绝缘层。51.如申请专利范围第50项之半导体装置,在上述多个第1配线间的空洞内以及上述多个第2配线间的空洞内,分别至少充满了氧与二氧化碳的混合气体。52.如申请专利范围第50项之半导体装置,在上述多个第1配线间的空洞内以及上述多个第2配线间的空洞内,分别充满了空气。53.如申请专利范围第50项之半导体装置,上述第2.第3以及第4绝缘层的表面乃呈平坦。54.一种半导体装置之制造方法,其主要特征包括:半导体基板上形成在第1绝缘层的工程、在上述第1绝缘层上形成第1固体层的工程、在上述第1固体层形成多个第1沟的工程、将导电体只埋入到上述多个第1沟内而形成多个第1配线的工程、在上述第1固体层上以及上述多个第1配线上形成第2绝缘层的工程、使上述第1固体层氧化,将上述第1固体层转换气体层的工程、在上述第2绝缘层上形成第2固体层的工程、在上述第2固体层上形成第3绝缘层的工程、在上述第3绝缘层上形成第3固体层的工程、在上述第3固体层形成多个第2沟的工程、在上述第3绝缘层、上述第2固体层与上述第2绝缘层形成可以到达上述多个第1配线之多个接触孔的工程、将导电体埋入到上述多个第2沟内与上述多个接触孔内,而形成多个第2配线的工程、在上述第3固体层上与上述多个第2配线上形成第4绝缘层的工程、以及使上述第2与第3固体层氧化,而将上述第2与第3固体层转换成第2与第3气体层的工程。55.如申请专利范围第54项之半导体装置之制造方法,上述第1.第2以及第3固体层为碳层,藉着使上述碳层灰化,可以使上述多个第1以及第2配线之间成为至少充满了氧与二氧化碳之混合气体的空洞。56.如申请专利范围第54项之半导体装置之制造方法,上述第1.第2以及第3固体层系由当在上述第1以及第2沟内、以及上述接触孔内形成导电体时温度以下时为固体,而可对上述第1或是第2沟进行加工,或是对上述接触孔进行加工,且藉由氧化很容易变成气体层的材料所构成。57.如申请专利范围第54项之半导体装置之制造方法,上述多个第1沟系藉由以下的工程而形成,亦即,在上述第12固体层上形成掩罩材的工程、藉由照相蚀刻工程对上述掩罩材进行加工的工程,将该掩罩材当作掩罩,而藉由异方性蚀刻对上述第1固体层进行蚀刻的工程、以及将上述掩罩材剥离的工程。58.如申请专利范围第54项之半导体装置之制造方法,上述多个第12沟系藉由以下的工程而形成,亦即,在上述第12固体层上形成掩罩材的工程、藉由照相蚀刻工程对上述掩罩材进行加工的工程,将该掩罩材当作掩罩,而藉由异方性蚀刻对上述第1固体层进行蚀刻的工程、以及将上述掩罩材剥离的工程。59.如申请专利范围第57项或第58项之半导体装置之制造方法,当上述掩罩材由氧化所构成时,则上述掩罩材可以藉由喷溅法被形成。60.如申请专利范围第54项之半导体装置之制造方法,上述多个第2沟系藉由以下的工程而构成,亦即,在上述第3固体层上形成光抗蚀层的工程、对上述光抗蚀层进行图案处理的工程,将该光抗蚀层当作掩罩,藉由异方性蚀刻对上述第3固体层进行蚀刻的工程、以及使上述光抗蚀层剥离的工程。61.如申请专利范围第54项之半导体装置之制造方法,上述多个接触孔系藉由以下的工程而被形成,亦即,在上述第3固体层上以及上述第3绝缘层上形成光抗蚀层的工程、对上述光抗蚀层实施图案处理的工程,以该光抗蚀层为掩罩,藉由异方性蚀刻,对上述第3绝缘层、上述第2固体层进行蚀刻的工程、将上述光抗蚀层剥离的工程、以及对上述第2绝缘层进行蚀刻的工程。62.如申请专利范围第54项之半导体装置之制造方法,当上述第2.第3以及第4绝缘层由氧化物所构成时,上述第2.第3以及第4绝缘层分别系由喷溅法所形成。63.如申请专利范围第54项之半导体装置之制造方法,上述第1.第2以及第3固体层的氧化系藉由在氧环境下的热处理或是氧电浆处理而达成。64.如申请专利范围第54项之半导体装置之制造方法,具备有在上述第1.第2以及第3气体层内充满空气的工程。65.如申请专利范围第1项之半导体装置,备有一具有与上述多个配线之构造相同的构造,而如包围上述多个配线般地被形成在上述第1绝缘层上的保护环。66.如申请专利范围第16项之半导体装置,具备有保护环,该保护环至少包括:具有与上述多个第1配线之构造相同的构造,而如包围上述多个第1配线般形成在上述第1绝缘层上的部分以及具有与上述多个第2配线之构造相同的构造,而如包围上述多个第2配线般被形成在上述第2绝缘层上的部分。67.如申请专利范围第33项之半导体装置,具备有保护环,该保护环至少包括:具有与上述多个第1配线之构造相同的构造,而如包围上述多个第1配线般地被形成在上述第1绝缘层上的部分、具有与上述多个第2配线之构造相同的构造,而如包围上述多个第2配线般地被形成在上述第3绝缘层上的部分、以及具有与上述多个导电层之构造相同的构造,而如包围上述多个导电层般被形成在上述多个第1配线与上述多个第2配线之间的部分。68.如申请专利范围第50项之半导体装置,具备有保护环,该保护环至少包括:具有与上述多个第1配线之构造相同的构造,而如包围上述多个第1配线般地被形成在上述第1绝缘层上的部分以及具有与上述多个第2配线之构造相同的构造,而如包围上述多个第2配线般地被形成在上述第3绝缘层上的部分。69.如申请专利范围第65项之半导体装置,上述半导体装置被形成在晶圆之晶片领域或是自晶圆所切出之晶片上,而上述导引环则被形成在上述晶片领域的周缘部或是上述晶片的周缘部。70.如申请专利范围第1项之半导体装置,上述多个配线的底面以及侧面系由具有导电性,而很难为药品所腐蚀,且难以被氧化的配线保护层所覆盖。71.如申请专利范围第1项之半导体装置,上述多个配线的侧面系由很难为药品所腐蚀,且很难被氧化的配线保护层所覆层。72.如申请专利范围第16项之半导体装置,上述多个第1以及第2配线之底面以及侧面系具有导电性,很难为药品所腐蚀,且很难被氧化的配线保护层所覆盖。73.如申请专利范围第16项之半导体装置,上述多个第1以及第2配线的侧面系由很难为药品所腐蚀,且很难被氧化的配线保护层所覆盖。74.如申请专利范围第50项之半导体装置,上述多个第1以及第2配线之底面以及侧面系由具有导电性,而很难为药品所腐蚀,且很难被氧化的配线保护层所覆盖。75.如申请专利范围第50项之半导体装置,上述多个第1以及第2配线的侧面系由很难为药品所腐蚀,且很难被氧化的配线保护层所覆盖。76.如申请专利范围第1项之半导体装置,包括有一具有与上述多个配线之构造相同的构造,而被形成在上述多个配线之间,而用于支撑上述第2绝缘层的假配线。77.如申请专利范围第16项之半导体装置,包括有:具有与上述多个第1配线之构造相同的构造,而被形成在上述多个第1配线之间,而用于支撑上述第2绝缘层的假配线,以及具有与上述多个第2配线之构造相同的构造,而被形成在上述多个第2配线之间,而用于支撑上述第3绝缘层的假配线。78.一种半导体装置,其主要特征包括:半导体基板、被形成在上述半导体基板上的第1绝缘层、被形成在上述第1绝缘层上的多个配线,使上述多个配线之间完全成为空洞被形成在上述多个配线上的第2绝缘层、以及被形成在上述多个配线与上述第2绝缘层之间,而将上述多个配线与上述第2绝缘层强固地加以结合的结合层。79.如申请专利范围第78项之半导体装置,上述第2绝缘层系由氧化矽所构成,而上述结合层系藉由由构成上述多个配线的材料与矽所反应而成者的构成。80.如申请专利范围第78项之半导体装置,上述第2绝缘层系由氧化金属层所构成,而上述结合层系藉由构成上述多个配线的材料与构成上述氧化金属层的金属的反应而成者所构成。81.如申请专利范围第78项之半导体装置,在上述多个配线之间的空洞内至少充满了氧与二氧化碳的混合气体。82.如申请专利范围第78项之半导体装置,在上述多个配线之间的空洞充满了空气。83.如申请专利范围第78项之半导体装置,上述第2绝缘层的表面乃呈平坦。84.一种半导体装置之制造方法,其主要特征包括:在半导体基板上形成绝缘层的工程、在上述绝缘层上形成固体层的工程、在上述固体层形成多数沟的工程、将导电体只埋入到上述多数沟内,而形成多数沟的工程、在上述固体层上以及上述多个配线上形成的矽层的工程,在藉着使上述固体层氧化,将上述固体层转换成气体层的同时,会将上述矽层转换成氧化矽层,而在上述多个配线与上述矽层之间形成可以将上述多个配线与上述矽层强固地结合的结合层的工程。85.一种半导体装置之制造方法,其主要特征包括:在半导体基板上形成绝缘层的工程、在上述绝缘层上形成固体层的工程、在上述固体层形成多数沟的工程、将导电体只埋入到上述多数沟内,而形成多个配线的工程、在上述固体层上以及上述多个配线上形成金属层的工程,在藉着使上述固体层氧化,将上述固体层转换成气体层的同时,也将上述金属层转换成氧化金属层,而在上述多个配线与上述金属层之间形成可以将上述多个配线与上述金属层强固地结合之结合层的工程。86.如申请专利范围第84项之半导体装置之制造方法,上述固体层为碳层,藉着使上述碳层灰化,可以使上述多个配线之间至少充满了氧与二氧化碳的混合气体。87.如申请专利范围第84项之半导体装置之制造方法,上述固体层系由在形成上述导电体时之温度以下时为固体1而可进行上述多数沟的加工,且藉着氧化可以容易变成气体层的材料所构成。88.如申请专利范围第84项之半导体装置之制造方法,上述多数沟系藉由以下的工程而被形成,亦即,在上述固体层上形成掩罩材的工程,藉由照相蚀刻工程,对上述掩罩材进行加工的工程,以该掩罩材当作掩罩,藉由异方性蚀刻对上述固体层进行蚀刻的工程,以及使上述掩罩材剥离的工程。89.如申请专利范围第88项之半导体装置之制造方法,当上述掩罩材为氧化物所构成时,上述掩罩材系藉由喷溅法被形成。90.如申请专利范围第84项之半导体装置之制造方法,上述多数沟系藉由以下的工程被形成,亦即,在上述固体层上形成光抗蚀层的工程,对上述光抗蚀层进行图案处理的工程、将该光抗蚀层当作掩罩,藉由异方性蚀刻,对上述固体层进行蚀刻的工程、以及使上述光抗蚀层剥离的工程。91.如申请专利范围第90项之半导体装置之制造方法,上述光抗蚀层可以藉由H2SO4与H2O2的药液而被剥离。92.如申请专利范围第84项之半导体装置之制造方法,上述固体层的氧化系藉由在氧环境下的热处理或氧电浆处理所达成。93.如申请专利范围第84项之半导体装置之制造方法,具备有在上述气体层内充满空气的工程。94.一种半导体装置,其主要特征包括:半导体基板、被形成在上述半导体基板上的第1绝缘层、被形成在上述第1绝缘层上的多个配线、使上述多个配线之间完全成为空洞,而被形成在上述空洞上以及上述多个配线之侧壁上的氧化或是氮化金属层、被形成在上述第1绝缘层与上述多个配线之间的金属层、以及被形成在上述多个配线上、与上述氧化或是氮化金属层上的第2绝缘层。95.如申请专利范围第94项之半导体装置,上述氧化或是氮化金属层系由上述金属层的氧化物或是氮化物所构成。96.如申请专利范围第95项之半导体装置,上述金属层系由自锆、铪、铍、镁、钪、锰、钴、镍、钇、铟、钡、镧、钌、铅、铋、钍、铬中所选出之其中一个材料所构成。97.如申请专利范围第94项之半导体装置,在上述第1绝缘层设有接触孔,将导电层埋入到上述接触孔内,而上述金属层与上述导电层接触。98.如申请专利范围第94项之半导体装置,在上述多个配线之间的空洞内至少充满了氧与二氧化碳的混合气体。99.如申请专利范围第94项之半导体装置,在上述多个配线之间的空洞内充满了空气。100.如申请专利范围第94项之半导体装置,上述第2绝缘层的表面系呈平坦。101.一种半导体装置之制造方法,其主要特征包括:在半导体基板上形成第1绝缘层的工程、在上述第1绝缘层上形成固体层的工程、在上述固体层形成多数沟的工程、在上述多数沟的内面与上述固体层上形成金属层的工程,将导电体只埋入到上述多数沟内,而形成多个配线的工程、藉着使上述固体层氧化,将上述固体层转换成气体层的工程,只使存在于上述多个配线之侧壁与上述气体层上的上述金属层进行氧化或是氮化,而形成第2绝缘层的工程、以及在上述多个配线上与上述第2绝缘层上形成第3绝缘层的工程。102.一种半导体装置之制造方法,其主要特征包括:在半导体基板上形成第1绝缘层的工程、在上述第1绝缘层上形成固体层的工程、在上述固体层形成多数沟的工程、在上述多数沟的内面与上述固体层上形成金属层的工程,将导电体只埋入到上述多数沟内,而形成多个配线的工程、藉着使上述固体层氧化,将上述固体层转换成气体层的同时,只使存在于上述多个配线之侧壁与上述气体层上的上述金属层转换成氧化金属层的工程、以及在上述多个配线上与上述氧化金属层上形成第32绝缘层的工程。103.如申请专利范围第101项之半导体装置之制造方法,上述固体层为碳层,藉着使上述碳层灰化,可以使上述多个配线之间成为至少充满了氧与二氧化碳之混合气体的空洞。104.如申请专利范围第101项之半导体装置之制造方法,上述固体层系由在形成在上述导电体时之温度以下为固体,而可进行上述多数沟的加工,且藉着氧化可以容易变成气体层的材料所构成。105.如申请专利范围第101项之半导体装置之制造方法,上述多数沟系沟由以下的工程被形成,亦即,在上述固体层上形成掩罩材的工程,藉由照相蚀刻工程,对上述掩罩材进行加工的工程,将该掩罩材当作掩罩,而藉由异方性蚀刻对上述固体层进行蚀刻的工程、以及使上述掩罩材剥离的工程。106.如申请专利范围第105项之半导体装置之制造方法,当上述掩罩材由氧化物所构成时,上述掩罩材可藉由喷溅法被形成。107.如申请专利范围第101项之半导体装置之制造方法,上述多数沟系藉由以下的工程被形成,亦即,在上述固体层上形成光抗蚀层的工程、对上述光抗蚀层实施图案处理之工程,将该光抗蚀层当作掩罩,而藉由异方性蚀刻,对上述固体层进行蚀刻的工程,以及将上述光抗蚀层剥离的工程。108.如申请专利范围第107项之半导体装置之制造方法,上述光抗蚀层系藉由H2SO4与H2O2的药液而被剥离。109.如申请专利范围第101项之半导体装置之制造方法,上述固体层的氧化系藉由在氧环境下的热处理或是氧电浆处理而达成。110.如申请专利范围第101项之半导体装置之制造方法,具备有在上述气体层内充满空气的工程。111.如申请专利范围第101项之半导体装置之制造方法,上述金属层系藉由在氧环境或是氮环境下的热处理被氧化或是氮化。112.一种半导体装置,其主要特征包括:半导体基板、被形成在上述半导体基板上的第1绝缘层、被形成在上述第1绝缘层上的多个配线、覆盖上述多个配线的侧面与底面,具有氧不会透过之性质的防护金属层、覆盖上述多个配线上面,具有氧不会透过之性质的防护层,以及使上述多个配线之间完全成为空洞,而被形成在上述空洞上与上述防护层上的第2绝缘层。113.如申请专利范围第112项之半导体装置,上述防护金属层系由钛与氮化钛的积层,以及氮化钛矽中之其中一者所构成。114.如申请专利范围第112项之半导体装置,上述防护层系由钛与氮化钛的积层、氮化钛矽以及氮化矽中之其中一者所构成。115.如申请专利范围第112项之半导体装置,在上述第1绝缘层设有接触孔,将导电层埋入到上述接触孔内,而上述金属层则与上述导电层接触。116.如申请专利范围第112项之半导体装置,在上述多个配线间的空洞内至少充满了氧与二氧化碳的混合气体。117.如申请专利范围第112项之半导体装置,在上述多个配线之间的空洞内充满了空气。118.如申请专利范围第112项之半导体装置,上述第2绝缘层的表面系呈平坦。119.一种半导体装置之制造方法,其主要特征包括:在半导体基板上形成第1绝缘层的工程、在上述第1绝缘层上形成固体层的工程,在上述固体层形成多数沟的工程,在上述多数沟的内面以及上述固体层上形成具有防止氧透过之功能之防护金属层的工程、在上述防护金属层上形成导电体的工程、对上述防护金属层与上述导电体进行研磨或是蚀刻,而使上述防护金属层与上述导电体只残留在上述多数沟内,而形成多个配线的工程、只在上述多个配线上形成具有防止氧透过之功能之防护层的工程、在上述固体层上与上述防护层上形成第2绝缘层的工程、以及藉着使上述固体层氧化,可以使上述固定层换成气体层的工程。120.如申请专利范围第119项之半导体装置之制造方法,对于上述防护金属层与上述导电体所进行之研磨或是蚀刻,则必须进行到使上述防护金属层与上述导电体之表面的高度较上述固体层之表面的高度为低为止。121.如申请专利范围第119项之半导体装置之制造方法,上述固定层为碳层,藉着使上述碳层灰化,可以使上述多个配线之间形成为至少充满了氧与二氧化碳之混合气体的空洞。122.如申请专利范围第119项之半导体装置之制造方法,上述固体层系由在形成上述导电体之温度以下为固体,而可进行上述多条沟的加工,且藉由氧化可以很容易变成气体层的材料所构成。123.如申请专利范围第119项之半导体装置之制造方法,上述多条沟系藉由以下的工程而形成,亦即,在上述固体层上形成掩罩材的工程,藉由照相蚀刻工程,对上述掩罩材进行加工的工程,将该掩罩材当作掩罩,藉由异方性蚀刻,对上述固体层进行蚀刻的工程,以及使上述掩罩材剥离的工程。124.如申请专利范围第123项之半导体装置之制造方法,当上述掩罩材系由氧化物所构成时,上述掩罩材可以藉由喷溅法被形成。125.如申请专利范围第119项之半导体装置之制造方法,上述多条沟系藉由以下的工程而形成,亦即,在上述固体层上形成光抗蚀层的工程,对上述光抗蚀层实施图案处理的工程,将该光抗蚀层当作掩罩,藉由异方性蚀刻,对上述固体层实施蚀刻的工程、以及使上述光抗蚀层剥离的工程。126.如申请专利范围第125项之半导体装置之制造方法,上述光抗蚀层可以藉由H2SO4与H2O2的药液被剥离。127.如申请专利范围第125项之半导体装置之制造方法,当上述第2绝缘层系由氧化物所构成时,则上述第2绝缘层可以藉由喷溅法被形成。128.如申请专利范围第119项之半导体装置之制造方法,上述固体层之氧化系藉由在氧环境下的热处理或是氧电浆处理所达成。129.如申请专利范围第119项之半导体装置之制造方法,具备在上述气体层内充满了空气的工程。130.一种半导体装置,其主要特征包括:半导体基板、被形成在上述半导体基板上的第1绝缘层,被形成在上述第1绝缘层上的多个配线、在不接触上述多个配线的状态下,覆盖上述多个配线的侧面以及上面,而使上述多个配线的周围成为空洞时第2绝缘层、以及波形成在上述多个配线之间与上述第2绝缘层上的第3绝缘层。131.一种半导体装置,其主要特征包括:半导体基板、被形成在上述半导体基板上的第1绝缘层、被形成在上述第1绝缘层的多个配线、在不接触上述多个配线之侧面的状态下,覆盖上述多个配线的侧面,而在上述多个配线的侧面形成空洞的第2绝缘层,以及被形成在上述多个配线之间与上述第2绝缘层上的第3绝缘层。132.如申请专利范围第130项之半导体装置,在上述多个配线之间的空洞内至少充满了氧与二氧化碳的混合气体。133.如申请专利范围第130项之半导体装置,在上述多个配线之间的空洞的充满了空气。134.如申请专利范围第130项之半导体装置,上述第3绝缘层的表面乃呈平坦。135.一种半导体装置之制造方法,其特征在于:在半导体基板上形成第1绝缘层的工程、在上述第1绝缘层上形成导电体的工程、在上述导电体上形成第1固体层的工程、对上述第1固体层与上述导电体进行蚀刻,而形成多个配线的工程、在上述多个配线的侧壁形成第2固体层的工程、以及在上述第1与第2固体层上形成第2绝缘层的工程、藉着使上述第1与第2固体层氧化,使上述第1与第2固体层转换成气体层,藉由上述气体层包围上述多个配线的工程。136.如申请专利范围第135项之半导体装置之制造方法,上述第1与第2固体层为碳层,藉着使上述碳层灰化,可以使上述多个配线的周围成为至少充满了氧与二氧化碳之混合气体的空洞。137.如申请专利范围第135项之半导体装置之制造方法,上述第1与第2固体层系由可进行上述多数沟的加工,且藉由氧化容易变化成气体层的材料所构成。138.如申请专利范围第135项之半导体装置之制造方法,上述多个配线系藉由以下的工程而形成,亦即,在上述第1固体层上形成掩罩材的工程、藉由照相蚀刻工程对上述掩罩材加工的工程、以及将该掩罩材当作掩罩,藉由异方性蚀刻,对上述第1固体层与上述导电体进行蚀刻的工程。139.如申请专利范围第138项之半导体装置之制造方法,当上述掩罩材为氧化物所构成时,上述掩罩材可藉由喷溅法被形成。140.如申请专利范围第138项之半导体装置之制造方法,具备有在上述蚀刻后使上述掩罩材剥离的工程。141.如申请专利范围第135项之半导体装置之制造方法,上述多个配线系由以下的工程而形成,亦即,在上述固体层上形成光抗蚀层的工程、对上述光抗蚀层实施图案处理的工程、将该光抗蚀层当作掩罩,藉由异方性蚀刻,对上述固体层进行蚀刻的工程、以及使上述光抗蚀层剥离的工程。142.如申请专利范围第141项之半导体装置之制造方法,上述光抗蚀层系藉由H2SO4与H2O2的药液而被剥离。143.如申请专利范围第135项之半导体装置之制造方法,当上述第2绝缘层系由氧化物所构成时,则上述第2绝缘层系藉由喷溅法被形成。144.如申请专利范围第135项之半导体装置之制造方法,上述第1及第2固体层的氧化系藉由在氧环境下的热处理或是氧电浆处理所达成。145.如申请专利范围第135项之半导体装置之制造方法,具备有在上述气体层内充满之空气的工程。146.一种半导体装置之制造方法,其特征在于:在半导体基板上形成第1绝缘层的工程、在上述第1绝缘层上形成导电层的工程,对上述导电层进行蚀刻,而形成多个配线的工程、在上述多个配线的侧壁形成固体层的工程、在上述固体层上形成第2绝缘层的工程,以及藉着使上述固体层氧化,使上述固体层转换成气体层,且藉由上述气体层来覆盖上述多个配线之侧面的工程。147.如申请专利范围第146项之半导体装置之制造方法,上述固体层为碳层,藉着使上述碳层灰化,可以使上述多个配线的侧面成为至少充满了氧与二氧化碳之混合气体的空洞。148.如申请专利范围第146项之半导体装置之制造方法,上述固体层系由可进行上述多数沟的加工,且藉由氧化很容易变成气体层的材料所构成。149.如申请专利范围第146项之半导体装置之制造方法,当上述第2绝缘层由氧化物所构成时,则上述第2绝缘层可以藉由喷溅法被形式。150.如申请专利范围第146项之半导体装置之制造方法,上述固体层的氧化系藉由在氧环境下之热处理或是氧电浆处理而达成。151.如申请专利范围第146项之半导体装置之制造方法,具备有在上述气体层内充满空气的工程。152.一种固体层之蚀刻方法,其主要特征包括:形成可以藉由氧化变化成气体层之固体层的工程,在上述固体层上形成掩罩材的工程,藉由照相蚀刻工程,对上述掩罩材进行加工的工程,以及将该掩罩材当作掩罩,而藉由异方性蚀刻对上述固体层进行蚀刻的工程。153.如申请专利范围第152项之固体层之蚀刻方法,当上述掩罩材由氧化物所构成时,则上述掩罩材可以藉由喷溅法被形成。154.一种固体层之蚀刻方法,其特征在于:形成可以藉由氧化而变化成气体层之固体层的工程、在上述固体层上形成光抗蚀层的工程、对上述光抗蚀层实施图案等处埋的工程,将该光抗蚀层当作掩罩,藉由异方性蚀刻,对上述固体层进行蚀刻的工程,以及藉由H2SO4与H2O2的药液使上述光抗蚀层剥离的工程。155.一种半导体装置,其主要特征包括:半导体基板、被形成在上述半导体基板上的第1绝缘层,被形成在上述第1绝缘层上的多个配线、以及使上述多个配线之间成为至少充满了二氧化碳之气体的空间,而被形成在上述多个配线上的第2绝缘层。156.如申请专利范围第155项之半导体装置,上述空洞内之二氧化碳的浓度至少较大气中之二氧化碳的浓度为高。157.如申请专利范围第66项之半导体装置,上述半导体装置系被形成在晶圆的晶片领域或是自晶圆所切出之晶片上,上述导引环则被形成在上述晶片领域的周缘部或是上述晶片的周缘部。158.如申请专利范围第67项半导体装置,上述半导体装置系被形成在晶圆的晶片领域或是自晶圆所切出之晶片上,上述导引环则被形成在上述晶片领域的周缘部或是上述晶片的周缘部。159.如申请专利范围第68项半导体装置,上述半导体装置系被形成在晶圆的晶片领域或是自晶圆所切出之晶片上,上述导引环则被形成在上述晶片领域的周缘部或是上述晶片的周缘部。160.如申请专利范围第85项之半导体装置之制造方法,上述固体层为碳层,藉着使上述碳层灰化,可以使上述多个配线之间成为至少充满了氧与二氧化碳之混合气体的空洞。161.如申请专利范围第85项之半导体装置之制造方法,上述固体层系由在形成上述导电体时之温度以下为固体,而可进行上述多数沟的加工,且藉由氧化可以容易变成气体层的材料所构成。162.如申请专利范围第85项之半导体装置之制造方法,上述多数沟系藉由以下的工程而形成,亦即,在上述固体层上形成掩罩材的工程,藉由照相蚀刻工程对上述掩罩材进行加工的工程,将该掩罩材当作掩罩,藉由异方性蚀刻对上述固体层进行蚀刻的工程,以及使上述掩罩材剥离的工程。163.如申请专利范围第162项之半导体装置之制造方法,当上述掩罩材由氧化物所构成时,则上述掩罩材可以藉由喷溅法被形成。164.如申请专利范围第85项之半导体装置之制造方法,上述多条沟系藉由以下的工程而形成,亦即,在上述固体层上形成光抗蚀层的工程,对上述光抗蚀层进行图案处理的工程,将该光抗蚀层当作掩罩,藉由异方性蚀刻,对上述固体层进行蚀刻的工程,以及使上述光抗蚀层剥离的工程。165.如申请专利范围第164项之半导体装置之制造方法,上述光抗蚀层可藉由H2SO4与H2O2的药液被剥离。166.如申请专利范围第85项之半导体装置之制造方法,上述固体层的氧化系藉由在氧环境下的热处理或是氧电浆处理而达成。167.如申请专利范围第85项之半导体装置之制造方法,具备有在上述气体层内充满空气的工程。168.如申请专利范围第102项之半导体装置之制造方法,上述固体层为碳层,藉着使上述碳层灰化,可以使上述多个配线之间成为至少充满了氧与二氧化碳之混合气体的空洞。169.如申请专利范围第102项之半导体装置之制造方法,上述固体层系由在形成上述导电体时之温度以下为固体,而可进行上述多数沟的加工,且藉由氧化容易变成气体层的材料所构成。170.如申请专利范围第102项之半导体装置之制造方法,上述多数沟系藉由以下的工程被形成,亦即,在上述固体层上形成掩罩材的工程,藉由照相蚀刻工程对上述掩罩材进行加工的工程,将该掩罩材当作掩罩,藉由异方性蚀刻对上述固体层进行蚀刻的工程、以及使上述掩罩材剥离的工程。171.如申请专利范围第170项之半导体装置之制造方法,当上述掩罩材由氧化物所形成时,则上述掩罩材可藉由喷溅法被形成。172.如申请专利范围第102项之半导体装置之制造方法,上述多条沟系藉由以下的工程而形成,亦即,在上述固体层上形成光抗蚀层的工程、对上述光抗蚀层实施图案处理的工程,将该光抗蚀层当作掩罩,藉由异方性蚀刻对上述固体层进行蚀刻的工程,以及使上述光抗蚀层的工程。173.如申请专利范围第172项之半导体装置之制造方法,上述光抗蚀层可以藉由H2SO4与H2O2的药液而被剥离。174.如申请专利范围第102项之半导体装置之制造方法,上述固体层的氧化系藉由在氧环境下之热处理或是氧电浆处理所达成。175.如申请专利范围第102项之半导体装置之制造方法,具备有在上述气体层内充满了空气的工程。176.如申请专利范围第131项之半导体装置,在上述多个配线之间的空洞内至少充满了氧与二氧化碳的混合气体。177.如申请专利范围第131项之半导体装置,在上述多个配线之间的空洞内充满了空气。178.如申请专利范围第131项之半导体装置,上述第3绝缘层的表面乃呈平坦。图示简单说明:图一系表与本发明之第1实施形态有关之半导体装置的断面图。图二系表图一之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图三系表图一之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图四系表图一之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图五系表图一之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图六系表图一之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图七系表与本发明之第2实施形态有关之半导体装置的立体图。图八系表图七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图九系表图七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图十系表图七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图十一系表图七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图十二系表图七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图十三系表图七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图十四系表图七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图十五系表图七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图十六系表图七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图十七系表图七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图十八系表图七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图十九系表图七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二十系表图七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二一系表图七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二二系表图七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二三系表与本发明之第3实施形态有关之半导体装置的立体图。图二四系表图二三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二五系表图二三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二六系表图二三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二七系表图二三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二八系表图二三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二九系表图二三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图三十系表图二三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图三一系表图二三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图三二系表图二三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图三三系表图二三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图三四系表与本发明之第4实施形态有关之半导体装置的立体图。图三五系表图三四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图三六系表图三四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图三七系表图三四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图三八系表图三四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图三九系表图三四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图四十系表与本发明之第5实施形态有关之半导体装置的立体图。图四一系表图四十之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图四二系表图四十之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图四三系表图四十之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图四四系表图四十之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图四五系表图四十之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图四六系表与本发明之第6实施形态有关之半导体装置的立体图。图四七系表图四六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图四八系表图四六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图四九系表图四六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图五十系表图四六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图五一系表图四六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图五二系表图四六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图五三系表与本发明之第7实施形态有关之半导体装置的立体图。图五四系表图五三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图五五系表图五三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图五六系表图五三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图五七系表图五三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图五八系表图五三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图五九系表图五三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图六十系表与本发明之第8实施形态有关之半导体装置的立体图。图六一系表图六十之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图六二系表图六十之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图六三系表图六十之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图六四系表图六十之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图六五系表图六十之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图六六系表图六十之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图六七系表与本发明之第9实施形态有关之半导体装置的立体图。图六八系表图六七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图六九系表图六七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图七十系表图六七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图七一系表图六七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图七二系表图六七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图七三系表图六七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图七四系表与本发明之第10-第17实施形态有关之晶片的说明图。图七五系表与本发明之第10-第17实施形态有关之晶片之一的说明图。图七六系表与本发明之第10实施形态有关之半导体装置的立体图。图七七系表与本发明之第10实施形态有关之半导体装置的立体图。图七八系表与本发明之第11实施形态有关之半导体装置的立体图。图七九系表与本发明之第11实施形态有关之半导体装置的立体图。图八十系表与本发明之第12实施形态有关之半导体装置的立体图。图八一系表与本发明之第13实施形态有关之半导体装置的立体图。图八二系表与本发明之第14实施形态有关之半导体装置的立体图。图八三系表与本发明之第15实施形态有关之半导体装置的立体图。图八四系表与本发明之第16实施形态有关之半导体装置的立体图。图八五系表与本发明之第17实施形态有关之半导体装置的立体图。图八六系表与本发明之第18实施形态有关之半导体装置的立体图。图八七系表图八六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图八八系表图八六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图八九系表图八六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图九十系表图八六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图九一系表图八六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图九二系表图八六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图九三系表图八六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图九四系表图八六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图九五系表图八六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图九六系表图八六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图九七系表图八六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图九八系表图八六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图九九系表图八六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一○○系表图八六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一○一系表图八六之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一○二系表与本发明之第19实施形态有关之半导体装置的立体图。图一○三系表图一○二之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一○四系表图一○二之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一○五系表图一○二之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一○六系表图一○二之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一○七系表图一○二之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一○八系表图一○二之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一○九系表图一○二之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一一○系表图一○二之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一一一系表图一○二之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一一二系表图一○二之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一一三系表与本发明之第20实施形态有关之半导体装置的立体图。图一一四系表图一一三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一一五系表图一一三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一一六系表图一一三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一一七系表图一一三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一一八系表图一一三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一一九系表图一一三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一二○系表与本发明之第21实施形态有关之半导体装置的立体图。图一二一系表图一二○之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一二二系表图一二○之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一二三系表图一二○之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一二四系表图一二○之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一二五系表图一二○之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一二六系表图一二○之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一二七系表与本发明之第22实施形态有关之半导体装置的立体图。图一二八系表图一二七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一二九系表图一二七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一三○系表图一二七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一三一系表图一二七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一三二系表图一二七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一三三系表图一二七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一三四系表图一二七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一三五系表图一二七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一三六系表图一二七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一三七系表图一二七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一三八系表图一二七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一三九系表图一二七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一四○系表图一二七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一四一系表图一二七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一四二系表图一二七之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一四三系表与本发明之第23实施形态有关之半导体装置的立体图。图一四四系表图一四三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一四五系表图一四三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一四六系表图一四三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一四七系表图一四三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一四八系表图一四三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一四九系表图一四三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一五○系表图一四三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一五一系表图一四三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一五二系表图一四三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一五三系表图一四三之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一五四系表与本发明之第24实施形态有关之半导体装置的立体图。图一五五系表图一五四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一五六系表图一五四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一五七系表图一五四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一五八系表图一五四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一五九系表图一五四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一六○系表图一五四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一六一系表与本发明之第25实施形态有关之半导体装置的立体图。图一六二系表图一六一之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一六三系表图一六一之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一六四系表图一六一之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一六五系表图一六一之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一六六系表图一六一之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一六七系表图一六一之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一六八系表与本发明之第26实施形态有关之半导体装置的立体图。图一六九系表与本发明之第27实施形态有关之半导体装置的立体图。图一七○系表与本发明之第28实施形态有关之半导体装置的立体图。图一七一系表图一七○之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图一七二系表图一七○之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图一七三系表图一七○之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图一七四系表图一七○之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图一七五系表图一七○之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图一七六系表图一七○之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图一七七系表与本发明之第29实施形态有关之半导体装置的断面图。图一七八系表图一七七之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图一七九系表图一七七之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图一八○系表图一七七之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图一八一系表图一七七之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图一八二系表图一七七之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图一八三系表图一七七之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图一八四系表与本发明之第30实施形态有关之半导体装置的立体图。图一八五系表图一八四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一八六系表图一八四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一八七系表图一八四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一八八系表图一八四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一八九系表图一八四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一九○系表图一八四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一九一系表图一八四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一九二系表图一八四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一九三系表图一八四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一九四系表图一八四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一九五系表图一八四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一九六系表图一八四之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图一九七系表碳层之灰化处理之一工程的断面图。图一九八系表碳层之灰化处理之一工程的断面图。图一九九系表与本发明之第31实施形态有关之半导体装置的立体图。图二○○系表图一九九之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二○一系表图一九九之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二○二系表图一九九之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二○三系表图一九九之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二○四系表图一九九之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二○五系表图一九九之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二○六系表图一九九之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二○七系表图一九九之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二○八系表图一九九之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二○九系表图一九九之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二一○系表图一九九之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二一一系表图一九九之半导体装置之制造方法之一工程的立体图。图二一二系表与本发明之第32实施形态有关之半导体装置的断面图。图二一三系表图二一二之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二一四系表图二一二之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二一五系表图二一二之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二一六系表图二一二之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二一七系表图二一二之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二一八系表图二一二之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二一九系表与本发明之第33实施形态有关之半导体装置的断面图。图二二○系表图二一九之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二二一系表图二一九之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二二二系表图二一九之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二二三系表图二一九之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二二四系表图二一九之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二二五系表图二一九之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二二六系表与本发明之第34实施形态有关之断面图。图二二七系表图二二六之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二二八系表图二二六之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二二九系表图二二六之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二三○系表图二二六之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二三一系表图二二六之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二三二系表图二二六之半导体装置之制造方法之一工程的断面图。图二三三系表习知半导体装置之立体图。 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