| 摘要 |
一种定义金氧半导场效电晶体元件之闸极结构的方法，其特征在于运用双抗反射覆盖(ARC)层来提升闸极结构之解析度，以及利用乾制程来移除所有之抗反射覆盖层，以避免使用热磷酸。于下方之二氧化矽闸极绝缘层上形成多晶矽层后，沉积覆盖氧化矽层、介电抗反射覆盖层以及位于上方之有机抗反射覆盖层。形成光阻图案做为蚀刻罩幕，以使第一非等向性反应性离子蚀刻制程在双抗反射覆盖层以及覆盖氧化矽层中定义出所需之闸极结构图案。移除光阻图案与上方之有机抗反访射覆盖层后，第二非等向性反应性离子蚀刻制程也会移除介电抗反射覆盖图案。最后，使用氢氟酸式之溶液来移除覆盖氧化矽图案以及未为多晶矽闸极结构覆盖之二氧化矽闸极绝缘层。 |
