| 主权项 |
1.一种倒置式覆晶封装构造,其系包含:一基板具有一上表面以及一下表面,该基板之下表面具有一凹部,该基板下表面设有复数个锡球焊垫于该凹部之周边;一半导体晶片以覆晶接合的方式设于该基板之凹部,其中该半导体晶片系电性连接至该复数个锡球焊垫;及一填胶设于该基板之凹部。2.依申请专利范围第1项之倒置式覆晶封装构造,其中该基板只有一层导电电路。3.依申请专利范围第1项之倒置式覆晶封装构造,其中该基板包含:一金属片具有一上表面以及一下表面;一绝缘层,设于该金属片之下表面;及复数条导电线路,用以电性连接该复数个锡球焊垫至该半导体晶片。4.依申请专利范围第3项之倒置式覆晶封装构造,其中该复数条导电线路之一端连接该复数个锡球焊垫,另一端用以电性连接该半导体晶片。5.依申请专利范围第4项之倒置式覆晶封装构造,其另包含复数个锡球设于该基板下表面之复数个锡球焊垫。6.一种倒置式覆晶封装构造,其系包含:一基板具有一上表面以及一下表面,该基板下表面设有一晶片接合区以及复数个锡球焊垫位于该覆晶接合区之周边;一半导体晶片以覆晶接合的方式设于该基板下表面之晶片接合区,其中该半导体晶片系电性连接至该复数个锡球焊垫;及一填胶设于该半导体晶片与基板之间。7.依申请专利范围第6项之倒置式覆晶封装构造,其中该基板只有一层导电电路。8.依申请专利范围第6项之倒置式覆晶封装构造,其中该基板包含:一介电层,具有一上表面以及一下表面;一绝缘层;及复数条导电线路,设于该介电层之下表面用以电性连接该复数个锡球焊垫至该半导体晶片。9.依申请专利范围第8项之倒置式覆晶封装构造,其中该复数条导电线路之一端连接该复数个锡球焊垫,另一端用以电性连接该半导体晶片。10.依申请专利范围第8项之倒置式覆晶封装构造,其中该介电层系以玻璃纤维强化BT(bismaleimide-triazine)树脂形成。11.依申请专利范围第8项之倒置式覆晶封装构造,其中该介电层系以FR-4玻璃纤维强化环氧树脂形成。12.依申请专利范围第6项之倒置式覆晶封装构造,其另包含复数个锡球设于该基板下表面之复数个锡球焊垫。图式简单说明:第一图:习用打线式球格阵列封装构造之剖面图;第二图:第一图之封装构造除去封胶体后之上视图;第三图:其图示一覆晶晶片以面朝下的方式安装至原先为打线式封装构造设计之基板上表面之上视图;第四图:根据本发明第一较佳实施例之倒置式覆晶封装构造之剖面图;第五图:根据本发明第四图之倒置式覆晶封装构造之上视图;第六图:根据本发明第二较佳实施例之倒置式覆晶封装构造之剖面图;及第七图:根据本发明第六图之倒置式覆晶封装构造之上视图。 |
