参考层及备有MRAM记忆胞元之此种参考层之制造方法METHOD FOR PRODUCING A REFERENCE LAYER AND MRAM MEMORY CELL PROVIDED WITH SUCH A REFERENCE LAYER

摘要

本发明系关于一种制造MRAM记忆胞元之参考层之方法以及备有此参考层之MRAM记忆胞元。此参考层包括具有二不同居里点之二磁耦合层。在一外部磁场中从第一层(10)之居里点Tc^1以上的温度冷却时，第二层(11)之磁化系以沿该外部磁场之场方向，藉第二阶相位变迁而定向。于进一步冷却至第二层(11)之居里点Tc^2以下时，后者方向藉由二层之间的反铁磁耦合而与该第一层(10)逆平行。