| 主权项 |
1.一种拟晶性高电子迁移率场效电晶体结构,包含:一半导体基板;一位于该半导体基板表面上之缓冲层;一位于该缓冲层上之未掺杂应力层;一位于该未掺杂应力层上之第一未掺杂间隔层;一位于该第一未掺杂间隔层上之单原子掺杂载子供应层;一位于该单原子掺杂载子供应层上之第二未掺杂间隔层;一位于该第二未掺杂间隔层上之n型掺杂半导体层;一位于该n型掺杂半导体层上之p+型掺杂半导体层;及一位于该p+型掺杂半导体层上之n+型掺杂半导体盖层,其中,该第一未掺杂间隔层、第二未掺杂间隔层、n型掺杂半导体层与p+型掺杂半导体层系为相同半导体材料。2.如申请专利范围第1项之拟晶性高电子迁移率场效电晶体结构,其进一步包含:一位于该缓冲层上之附加的单原子掺杂载子供应层;一位于该附加的单原子掺杂载子供应层上之附加的未掺杂间隔层,其中该未掺杂应力层位于该附加的未掺杂间隔层上。3.如申请专利范围第1项或第2项之拟晶性高电子迁移率场效电晶体结构,其中该半导体基板为半绝缘型之GaAs。4.如申请专利范围第1项或第2项之拟晶性高电子迁移率场效电晶体结构,其中该缓冲层为未掺杂之GaAs。5.如申请专利范围第1项或第2项之拟晶性高电子迁移率场效电晶体结构,其中该未掺杂应力层为InxGa1-x As,其中x为0.05~0.25,且该未掺杂应力层具有一范围介于50~200埃的厚度。6.如申请专利范围第1项或第2项之拟晶性高电子迁移率场效电晶体结构,其中该第一及第二未掺杂间隔层均为In0.49Ga0.51P,且该第一及第二未掺杂间隔层均具有一范围介于25~100埃的厚度。7.如申请专利范围第1项或第2项之拟晶性高电子迁移率场效电晶体结构,其中该第一及第二未掺杂间隔层均为AlxGa1-xAs,x为0.2至0.5之任一数値,且该第一及第二未掺杂间隔层均具有一范围介于25~100埃的厚度。8.如申请专利范围第1项或第2项之拟晶性高电子迁移率场效电晶体结构,其中该单原子掺杂载子供应层具有一范围介于(n)=11012~11013cm-2的浓度。9.如申请专利范围第2项之拟晶性高电子迁移率场效电晶体结构,其中该附加的单原子掺杂载子供应层具有一范围介于(n)=11012~11013cm-2的浓度。10.如申请专利范围第2项之拟晶性高电子迁移率场效电晶体结构,其中该附加的未掺杂间隔层为GaAs,且该附加的未掺杂间隔层具有一范围介于25~100埃的厚度。11.如申请专利范围第1项或第2项之拟晶性高电子迁移率场效电晶体结构,其中该n型掺杂半导体层为In0.49 Ga0.51P,其具有一范围介于200~ 1000埃的厚度,及一浓度范围为n = 51016~51017cm-3的掺杂。12.如申请专利范围第1项或第2项之拟晶性高电子迁移率场效电晶体结构,其中该n型掺杂半导体层为AlxGa1-xAs,x为0.2至0.5之任一数値,其具有一范围介于200~1000埃的厚度,及一浓度范围为n=51016 ~ 51017cm-3的掺杂。13.如申请专利范围第1项或第2项之拟晶性高电子迁移率场效电晶体结构,其中该p+型掺杂半导体层为In0.49 Ga0.51P,其具有一范围介于80~200埃的厚度,及一浓度范围为p+=11018~41019cm-3的掺杂。14.如申请专利范围第1项或第2项之拟晶性高电子迁移率场效电晶体结构,其中该p+型掺杂半导体层为AlxGa1-xAs,x为0.2至0.5之任一数値,其具有一范围介于80~200埃的厚度,及一浓度范围为p+=11018 ~ 41019cm-3的掺杂。15.如申请专利范围第1项或第2项之拟晶性高电子迁移率场效电晶体结构,其中该n+型掺杂半导体盖层为GaAs,其具有一范围介于150~400埃的厚度,及一浓度范围为p+=11018~41019cm-3的掺杂。图式简单说明:图一系本发明单一单原子层掺杂拟晶性高电子迁移率电晶体之结构示意图。图二系本发明双单原子层掺杂拟晶性高电子迁移率电晶体之结构示意图。图三系本发明实施例一之拟晶性高电子迁移率电晶体结构图。图四系本发明实施例一之拟晶性高电子迁移率电晶体导电带相对应能带图。图五系本发明实施例一之元件的闸极-汲极电流-电压两端特性图。图六系本发明实施例一之元件的共源极电流-电压三端特性曲线图。图七系本发明实施例一之元件的汲极饱和电流和转导値对闸极电压之关系图。图八系本发明实施例一之元件的高频特性图。图九系本发明实施例二之拟晶性高电子迁移率电晶体结构图。图十系本发明实施例二之拟晶性高电子迁移率电晶体导电带相对应能带图。图十一系本发明实施例二之元件的闸极-汲极电流-电压两端特性图。图十二系本发明实施例二之元件的共源极电流-电压三端特性曲线图。图十三系本发明实施例二之元件的汲极饱和电流和转导値对闸极电压之关系图。图十四系本发明实施例二之元件的高频特性图。 |
