个别最佳化同一半导体晶片中之P形金氧半导体与N形金氧半导体的电晶体之薄闸极介电层的方法,以及以此方法制成之装置METHOD FOR SEPARATELY OPTIMIZING THIN GATE DIELECTRIC OF PMOS AND NMOS TRANSISTORS WITHIN THE SAME SEMICONDUCTOR CHIP AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY

摘要

本发明揭示一种形成具有在半导体基板上形成之PFET与NFET区域之互补金氧半导体(CMOS)半导体材料之方法，该等区域分别由包含二氧化矽且具有其不同氮化度之PFET与NFET闸极介电层所覆盖。提供一具有PFET区域及NFET区域之矽基板，并于其上形成PFET及NFET闸极氧化层。在该PFET区域上方提供该PFET闸极氧化层之氮化，以于该PFET区域上方形成PFET闸极介电层，其在该PFET区域上方之PFET闸极介电层中具有一第一浓度含量之氮原子。提供NFET闸极氧化层之氮化，以于该NFET区域上方形成NFET闸极介电层，其具有一不同于该第一浓度含量之浓度含量之氮原子。该NFET闸极介电层与该PFET闸极介电层可具有相同厚度。