发明名称 用膜把含氟化合物回收并再使用
摘要 一种使含有稀释气体和含氟化合物的气流与膜接触,而从中分离和回收含氟化合物的方法,包括如下步骤:压缩含有稀释气体和含氟化合物的气流至较高的压力;加热含有稀释气体和含氟化合物的气流到较高温度,至足于增加渗透气体的通量,并足于增加稀释气体对膜的渗透相对于含氟化合物对膜的渗透的膜选择性,使气流同膜接触,该膜有选择地使稀释气体比含氟化合物更易透过,导致渗透气流富含稀释气体,而截留物富含含氟化合物;使气流与一个或多个另外的,有选择地使稀释气体比含氟化合物更易透过的膜接触,导致富含稀释气体的第二渗透气体和富含含氟化合物的第二截留物;第二渗透气体再循环到含有稀释气体和含氟化合物的气流中,并一起被压缩至较高压力。优选地富含含氟化合物的第二截留物,用吸附或低温精馏法进一步纯化,以提供富含含氟化合物的产品气体和富含稀释剂的排放气体。
申请公布号 TW344672 申请公布日期 1998.11.11
申请号 TW086115994 申请日期 1997.10.28
申请人 气体产品及化学品股份公司 发明人 伊欧席夫.契尔亚克夫;亚力山大.史瓦兹;汤玛斯.晓林.熊;詹姆斯.旭光.杨
分类号 B01D53/34 主分类号 B01D53/34
代理机构 代理人 陈展俊 台北巿和平东路二段二○三号四楼;林圣富 台北巿和平东路二段二○三号四楼
主权项 1.一种让含有稀释气体和含氟化合物的气流与膜接触而从中回收含氟化合物的方法,包括下列步骤:(a)压缩含有稀释气体和含氟化合物的一气流至一较高的压力;(b)加热含有稀释气体和含氟化合物的该气流到一较高温度,至足于增加步骤(c)渗透气体的通量,并足于增加步骤(c)稀释气体对膜的渗透相对于含氟化合物对膜的渗透的膜选择性;(c)让所述气流与膜接触,该膜有选择地使稀释气体比含氟化合物更易透过,导致渗透气体中富含稀释气体,截留物流中富含含氟化合物;(d)让该截留物与一个或多个另外的,使稀释气体比含氟化合物有选择地更易透过的膜接触,导致一富含稀释气体的第二渗透气体,及一富含含氟化合物的第二截留物;以及(e)使所述第二渗透气体再循环到步骤(a),与含稀释气体和含氟化合物的气流一起压缩至较高压力。2.按申请专利范围第1项所述的方法,其中该含有稀释气体和含氟化合物的气流被首先洗掉其中的颗粒及水溶性组分。3.按申请专利范围第1项所述的方法,其中在(e)步骤后所得的富含含氟化合物的截留物,用吸附或低温精馏法进一步纯化,以提供富含含氟化合物的产品气体和富含稀释剂的排放气体。4.按申请专利范围第1项所述的方法,其中所述含稀释气体和含氟化合物的气流中的含氟化合物选自下列物质:NF3.SF6.CF4.CHF3.CH3F、C2F6.C2HF5.C3F8.C4F8及其混合物所组成的族群。5.按申请专利范围第1项所述的方法,其中所述含稀释气体和含氟化合物的气流是来自半导体生产过程的排放气体。6.按申请专利范围第1项所述的方法,其中所述膜选自聚、聚醚醯亚胺、聚丙烯、醋酸纤维素、聚甲基戊烷、基于2.2-双三氟甲基-4.5-二氟-1,3-二恶茂的无定形共聚物、聚乙烯基三甲基矽烷、聚醯亚胺、聚醯胺、聚芳醯胺、乙基纤维素及其混合物所组成的族群。7.按申请专利范围第1项所述的方法,其中所述精馏是由精馏塔顶部的热交换所驱动,以产生回流。8.按申请专利范围第3项所述的方法,其中所述富含含氟化合物的气体包括C2F6。9.按申请专利范围第1项所述的方法,其中所述富含含氟化合物的第二截留物再循环至半导体生产过程。10.按申请专利范围第3项所述的方法,其中所述富含含氟化合物的产品气体再循环至半导体生产过程。图式简单说明:第一图是本发明的一个优选实施例的图示说明。第二图是含0.6%CF4.1.4%C2F6和剩余量氮的气流,用聚膜在两个不同的温度70℉和120℉下,回收C2F6的体积百分数对排出氮的体积百分数的图。第三图是含两种气流,其中一个含0.75%NF3.0.35%C2F6.0.04%SF6和剩余量氮,另一个含0.6%CF4.1.4%C2F6和剩余量氮,它们分别在70℉和130℉用乙基纤维素膜回收C2F6的体积百分数对排出氮的体积百分数的图。
地址 美国