| 主权项 |
1.一种由基板表面之区域移除旋转涂覆材料之方法,其系包括:提供一具一表面之基板,其中该表面系涂有含烷氧基矽烷之旋转涂覆材料(spin-on material),且该表面系具一边缘;旋转该表面;经一喷头展开一种流体以形成一种低温气溶胶物流;及在该基板旋转时让来自该喷头之低温气溶胶物流对准紧靠在邻接该边缘之区域中之旋转涂覆材料。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该低温气溶胶物流包括一种气体及实质上之固体粒子。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该流体包括一种选自下列各物之材料:二氧化碳、氧化氮、氨、氪、氩、甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷、乙烯、丙烯、四氟甲烷、氯二氟甲烷、六氟化硫、全氟化丙烷及其混合物。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该流体之必要组成为液态二氧化碳,且其中该低温气溶胶物流包括气态二氧化碳及基本上之固态二氧化碳粒子。5.如申请专利范围第1项之方法,其中在该表面上该低温气溶胶物流之宽度大于或等于该区域宽度。6.如申请专利范围第1项之方法,其中在该表面上该低温气溶胶物流之宽度小于该区域之宽度,且其中对准该低温气溶胶物流包括将该喷头及该基板间互相移动,以在变动该边缘至该低温气溶胶物流之距离下暴露该区域部份。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该区域包括该旋转涂覆材料之边缘珠粒。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该区域约2至约4毫米宽。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该基板包括一种半导体材料。10.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包括加热该基板及该旋转涂覆材料之该区域另至足以防止在该膜上之水气实质上冷凝之温度。11.如申请专利范围第1项之方法,其中该旋转涂覆材料为膜。12.如申请专利范围第1项之方法,其中该旋转涂覆材料包括沸点高于约175℃之溶剂。13.如申请专利范围第1项之方法,其中该旋转涂覆材料包括一种低挥发性溶剂。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该烷氧基矽烷之化学式为SiR4,其中该R基团中至少2个系独立之C1至C4烷氧基及其余者(若有的话)系独立选自氢、烷基、苯基、卤素及经取代苯基。15.如申请专利范围第13项之方法,其中该低挥发性溶剂系选自乙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,2,4-丁三醇、1,2,3-丁三醇、2甲基-丙三醇、2-(羧甲基)-1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、2甲基-1,3-丙二醇、四乙基二醇、三乙基二醇单甲基醚、甘油及其混合物。16.一种在一片基板表面上形成一层膜之方法,该方法包括:分配一种液体组合物在该表面,其中该液体组合物系含至少一种烷氧矽烷矽石前驱物材料;旋转该基板,藉此分配该液体组合物以形成在该表面上之一层基本上均匀之膜;透过一喷头展开一种流体形成一种低温气溶胶物流;及在该基板旋转时让来自该喷嘴之低温气溶胶物流对准紧靠在邻接该表面边缘之表面区域中之膜,以自该区域移除该膜。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该液体组合物包括一种低挥发性液体。18.如申请专利范围第16项之方法,其中该液体组合物包括至少一种沸点高于约175℃之溶剂。19.如申请专利范围第16项之方法,其中该流体基本上由液态二氧化碳组成,且其中该低温气溶胶物流包括气态二氧化碳及基本上之固态二氧化碳粒子。20.如申请专利范围第16项之方法,其中在该表面上之该低温气溶胶宽度大于或等于该区域之宽度。21.如申请专利范围第16项之方法,其中在该表面上之该低温气溶胶物流宽度小于该区域宽度,且其中对准该低温气溶胶物流包括将该喷头及该基板间互相移动,在以变动该边缘至该低温气溶胶物流之距离下暴露该区域部份。22.如申请专利范围第16项之方法,其进一步包括加热该基板及该区域外之该膜至足以防止在该膜上之有实质上的水气冷凝之温度。23.如申请专利范围第16项之方法,其进一步包括维持一个环境湿度及维持该基板与该区域外该膜之温度至足以防止实质上的水气凝结至该膜上。图式简单说明:图1A显示旋转涂布基板之剖面图。图1B显示旋转涂布基板之俯视图。图2A显示根据本发明具体实施例以低温气溶胶物流由旋转涂布基板移除部份膜之剖面图。图2B显示根据本发明另一具体实施例以低温气溶胶物流由旋转布基板移除部份膜之剖面图。 |
